价格虚高抑制需求，DDR3涨幅已超DDR4

因加密货币、智慧物联网、智慧家电、机上盒和低阶手机销售持续成长，供需失衡之下，DDR3 DRAM成为这波涨势最凌厉的记忆体产品。全球科技产业陷入晶片荒中，连过去甚少被提及、非主流、被视为利基型的DDR3 DRAM，去年第4季以来报价也暴涨一倍，且缺货问题更因后段封装产能短缺，持续扩大中。

DRAM 现货价自去年 12 月底谷底反弹，第一季现货市场价格涨幅估可达至少五成以上，目前现货市场的涨势未歇，且在第一季现货市场已大涨的情况下，估第二季 DRAM 合约价也可望有明显的涨幅，尤其是过去几年 DRAM 大厂已渐渐淡出的成熟产品 DDR3，因可供给量已大幅减少，市场的固定需求仍在，DDR3 涨幅更甚目前主流产品 DDR4，部分产品价格甚至比 DDR4 更贵。

DDR3 产能过去几年，DRAM 大厂逐渐将产能削减，DRAM 龙头大厂三星策略也将部分产能移往生产 CMOS Sensor，大厂无意愿再投资，过去生产此类产品的厂商，如力晶转型到力积电，也将业务主轴转移到代工领域，中系晶圆厂拥有成熟制程产能，但又受制中美贸易战下，想扩产却也买不到设备，所以供给更受限。
不过需求部分，一些不太要求频宽及容量的应用，如工控、PC 周边、物联网等记忆体效能不用太好或特别大容量者，记忆体需求还是留在 DDR3，所以 DDR3 虽然在标准型市场如说 NB、PC、伺服器应用萎缩，但利基型市场仍有稳定需求，如工控、工业电脑甚至汽车领域，如果没有急迫需求，DDR3 产品勘用，考量到要转进 DDR4 还需软硬体或介面设计配合，业者也不一定想转进 DDR4，所以需求一直很稳定。
除了全球三大 DRAM 厂，DDR3 产品以台系 DRAM 制造商华邦电、南亚科为主，力积电也有部分产能，尤其 DDR3 相当成熟，成本已低，价涨之下获利表现更佳，可望在此波价格大涨受惠。
不过即使旧产品抢手，业者推动下一世代产品仍积极，包括 DDR5 产品渗透率提升，主要因全球 5G 与 Wi-Fi 6 的高速网路逐渐普及，以及电脑系统的 CPU 性能与核心数的持续增长，所以对记忆体效能、容量与稳定度要求也大幅提升，DRAM 原厂及模组厂商自去年起 DDR5 模组开始正式推出，估今年渗透率可缓步提升。