海力士、美光投资EUV猛扩厂，南亚科稳扎稳打采守势

记忆体供应吃紧与强劲的晶片需求，刺激SK 海力士（SK Hynix）与美光（Micron）积极升级生产线，透过采购极紫外光（EUV）设备的方式，为下一代制程大规模生产做准备。
面对竞争对手来势汹汹，积极布署建置新产线，南亚科似乎采取保守应战之姿，初期采用合作策略布局EUV技术。
因应强劲记忆体市场需求，美光、海力士积极布局EUV设备采购事宜。南亚科技总经理李培锳指出，目前对于EUV产线建置急迫性不高，因此该公司在EUV设备的策略主要采合作模式开发，先以规划一两年内所需要的技术为主。
先前南亚科规划兴建的12吋DRAM厂，采用南亚科自主研发的10奈米制程生产DRAM，将会以逐步导入EUV的方式进行研发，从技术角度来看，目前第一、第二代10奈米技术研发还不需要EUV设备，不过南亚科技仍会针对第二代、第三代10奈米的技术进行开发性布局，但不会积极量产导入。
整体来说，EUV是循序渐进的改建，而非跳动式变化，其设备组合也有极大差异。李培锳提到，将现有作法完全调整成EUV的产线，经济效益不大；再者，EUV交货较长，有时须等1~2年才可以拿到货，故仍需一些时间EUV产能才能逐步跟上水准。
记忆体市场可期，须关注长短料供应影响、资本支出把关问题虽说今年记忆体市场热度仍然很高，但外界对于消费性市场的需求度开始出现杂音，李培锳回应，由于记忆体产能已达上限，加上目前存货低水位，下半年销售量将比第2季微幅降低。整体来说，市场需求仍然存在，但需留意几个导致市场趋缓的因素，包含供应链长短料影响，以及日韩记忆体同业资本资出超乎预期（如扩建新厂、采购EUV设备）等因素。
南亚科技总经理李培锳表示，接下来第3季整体营运状况正向发展，持续有机会看到价格往上提升，而提升幅度受不同因素影响，包含市场需求、长短料对供应链影响与疫情状况等，长期发展审慎乐观。
记忆体进入改朝换代，DDR3需求将逐渐趋缓李培锳表示，记忆体已逐步进入世代交换交换的阶段。手机多镜头趋势发展，垫高CMOS影像感测（CIS）需求，许多记忆体大厂转而押宝生产毛利较高的CIS，减少DDR3等利基型DRAM供货量，成为DDR3步入转型的重要契机。虽说目前DDR3在消费性市场使用量仍非常大，但此现象大多是体现于现有产品与新的产品类型交替，使得DDR3出现短缺状况，同样也发生于DDR2的转型。
记忆体进入世代交替时期，DDR4市场逐渐升温。相较于先前DDR3整体营收比重只占35%，第二季营收比来到50%左右。李培锳指出，DDR3营收比重通常落在4、5成，有这样的成绩除了体现在在DDR3价格调涨的贡献外，产品组合推升的助力也是关键要点，受惠于南亚科多样化的产品类型，诸如不同世代的DDR(1~4)，与各种容量(512Mb/1/2/4/8Gb)的DRAM，为产品组合的弹性带来不小的加分作用。
不过DDR4的成长也不容小觑，可看到PC、笔电、伺服器都采用DDR4，且部分消费型产品也陆续移转到DDR4，其重要性逐渐升温。整体看来，预期第三季DDR3与DDR4将都有涨幅，且第三季毛利率还会持续上扬。
下半年5G手机、伺服器需求值得关注全球经济逐步回复成长，有助整体DRAM需求持续成长。李培锳表示，手机市场已恢复年成长水平，5G手机销售占比增加4成，特别是高阶5G手机销售明显增加，反观中低阶手机受发展中国家疫情影响，成长趋缓。另一方面，因应企业IT支出扩张及新平台搭载高容量DRAM，下半年伺服器需求力道强。