支援64个命名空间，金士顿推出新款NVMe固态硬盘

金士顿发表新一代企业级2.5吋NVMe固态硬碟，改善读写延迟之余，也支援多个命名空间
距离我们上次介绍的M.2外形的NVMe固态硬碟DC1000B，以及后续发表的2.5吋U.2外形的DC1000M，相隔一年多，金士顿终于又推出新的资料中心固态硬碟产品，这次是2.5吋U.2外形的DC1500M，采用的储存媒体是3D NAND的TLC快闪记忆体，I/O介面是PCIe 3.0 x4，提供4种储存容量的选择：960 GB、1.92 TB、3.84 TB、7.68 TB，与DC1000M几乎一样。
在存取效能上，以循序读写而言，DC1500M最高可分别达到3,300 MB/s、 2,700MB/s，而在随机读写的部分，这系列产品最高可达到51万IOPS、22万IOPS；关于存取延迟的表现上，DC1500M在读取作业上，会低于110微秒，而在写入作业上，则低于206微秒。
基于这样的效能表现，也因此，金士顿在产品的市场定位上，将DC1500M放置在混合型工作负载的应用层面上。
相较之下，上一代机型DC1000M的存取效能与DC1500M，所差无几，以循序读写而言，DC1000M最高可分别达到3,300 MB/s、2,800MB/s，而在随机读写的部分，这系列产品最高可达到54万IOPS、21万IOPS，DC1500M似乎相形逊色一些，对此，金士顿表示，由于DC1500M 采用新一代的NAND Flash，并经过最佳化，在读写方面都具有极高的效能与稳定性，可满足企业级伺服器的需求。
关于存取延迟的表现上，DC1000M与DC1500M的差距较显著，在读取作业上，低于300微秒，而在写入作业上，则低于100毫秒。
就耐用度来看，DC1500M与DC1000M由于都是TLC快闪记忆体，每日写入量为1，也内建多种企业级固态硬碟必备的可靠度特色，像是涵盖所有存取环节（end-to-end）的资料路径保护、断电保护（Power Loss Protection，PLP）、遥测监控技术，以及200万小时的平均故障间隔时间，原厂也都提供5年有限保固服务。
整体而言，DC1500M与DC1000M的共通点相当多，包含外形、储存容量选择、I/O介面、效能、耐用度、可靠度。不过，前者支援多个命名空间（namespace）的管理，最多可支援到60个命名空间；而在耗电量，前者虽然是较新推出的产品，但耗电量比DC1000M略高。对此，金士顿表示，由于DC1500M针对效能和稳定性实施了进一步的优化，而在这样的过程中，导致规格表所列的耗电量实测值变高。