爱普宣布实现真3D堆叠异质整合，大幅提升记忆体频宽

爱普(6531)宣布已成功实现异质整合高频宽记忆体(VHM)，即DRAM与逻辑晶片的真3D堆叠异质整合；此3D整合晶片提供了相对于高频宽记忆体(HBM)十倍以上的高速频宽；其搭载超过4GB的记忆体容量，更是7奈米制程逻辑晶片内存SRAM之最大容量的五到十倍。爱普指出，公司提供VHM，包含客制化DRAM设计及DRAM与逻辑晶片整合介面之VHM LInK IP，力积电(6770)则是提供客制化DRAM晶圆代工制造服务，并由台积电(2330)提供逻辑制程晶圆代工及3D堆叠制造服务；而此3D堆叠晶片客户为鲸链科技，是一家专注科技创新的无晶圆厂半导体及系统方案供应商。
爱普并指出，半导体产业的封装技术已从传统的2D封装演进到2.5D，再到真正的3D封装技术；2.5D封装是将多片晶片封装于同一块矽中介板(Silicon Interposer)上，而真正的3D封装技术则是以垂直的连接方式将多片晶片直接立体地互相堆叠。2.5D封装时的记忆体频宽受限于矽中介板上可载的横向连接之数量；而3D封装因为采用垂直连接的方式，其连接数量几乎不会受限。得益于此，相较于2.5D封装，逻辑晶片与DRAM的3D整合将可在显著降低传输功耗的同时，大幅提升记忆体的频宽。
力积电指出，逻辑晶片与DRAM的3D整合是力积电在AI记忆体策略上的最新成果，这项3D技术将可为DRAM的频宽创造前所未见的可能性，对于AI、网通及图像处理等特别需要大量频宽的应用，将有极大的帮助。
爱普表示，公司非常高兴能与台积电及力积电等业界领导大厂，一同在逻辑晶片与DRAM的3D整合上密切合作，帮助客户达到前所未有的产品效能；爱普副总刘景宏表示，公司的使命即是提供优良的记忆体解决方案，让客户的产品更有竞争力，创造更多商机。