三星称3nm GAA制程进度领先台积！将抢先商业化

三星电子(Samsung Electronics Co.)决心要赶在台积电前，将新一代3奈米GAA制程技术商业化。Business Korea 26日报导，三星“装置解决方案”(Device Solution, DS)事业部科技长Jeong Eun-seung 25日在线上召开的三星科技暨事业论坛(Samsung Tech & Career Forum)上指出，“我们的GAA制程开发进度领先主要竞争对手(台积电)，若能确实巩固技术，则三星的晶圆代工事业有望进一步茁壮。”
报导称，三星举行论坛的目的是为了吸引全球工程师。GAA是3奈米制程技术的重要一环，近期有望获全球顶尖的晶圆代工商采纳，其关键在将电晶体架构从3D (FinFET)转换成4D (GAA)。三星指出，2019年跟客户测试3奈米GAA设计套件后发现，这种技术可将晶片面积缩减45%、省电效能提升50%。
Jeong 25日并表示，“三星2017年才成立晶圆代工事业，但以公司在记忆体专长，取代台积电指日可待。”他举例指出，三星曾领先台积电开发出一款采用FinFET技术的14MHz产品。
DRAM先生：三星晶圆代工难超越台积电
《韩民族日报》(The Hankyoreh)6月7日报导，协助南韩三星开发出业界首款16M DRAM、有“DRAM先生”美称的陈大济(Chin Dae-je)受访时表示，台积电仅为其他企业生产半导体、自己并无品牌，晶圆代工市场的占有率约60%。他说，三星除了为其他业者打造系统半导体外，还会为自己进行生产。三星本身是高通(Qualcomm)、辉达(Nvdia)应用处理器的竞争对手，在系统半导体领域势必会发生利益冲突。辉达等企业把制造委托三星时，其实都有些担忧三星或许会设法偷取他们的IC设计。
因此，陈大济认为，三星晶圆代工的成长有其限制，除非三星愿意将相关营运分拆为独立公司。三星的晶圆代工业务或许能达到台积电的一半规模，但不太可能直接超越台积电。