南亚科预估DRAM将短期修正到明年第一季到第二季

南亚科预估明年第一季到第二季，DRAM将短期修正，但需求仍稳健。
今年是记忆体的成长年，尤其是DRAM更是量增价涨，产值估将年增逾3成；展望明年，一般认为，延续今年第四季DRAM价格反转向下的走势，明年第一季到第二季仍将是短期修正与跌价期，之后有机会止跌上扬。
DRAM产业今年成长强劲，从今年初现货价格飙涨，接着合约价也上扬，带动各家业者前三季均缴出逐季成长的营运佳绩，例如南亚科（2408）受惠第三季价格上涨达2成，单季毛利率攀升到49.2%，税后盈余75.26亿元，季增22.1%，每股税后盈余2.44元，前三季累计每股税后盈余达5.31元，为近3年来同期新高。
旺宏（2337）、华邦电（2344）记忆体产品包括NAND、NOR快闪记忆体等，在需求拉抬产能满载与价格上涨的带动下，旺宏今年前3季合并营收360.28亿元，年增21.5%，创同期新高；华邦电前三季营收735.74亿元，年增82.4%。
DRAM需求仍稳健 寒冬不会来DRAM厂南亚科总经理李培锳指出，DRAM从第四季到明年第一季将会出现短期修正，价格会微幅下滑，约介于第二季到第三季之间，后续走势要看长短料、全球经济复苏、通货膨胀、地缘政治等问题有无改善而定，但整体DRAM需求仍稳健，不会像外资形容DRAM寒冬将到，也不会像上波景气下滑时修正幅度之大。
威刚也表示，明年第二季起，DRAM价格将再度站上成长曲线，NAND Flash受惠上游制程提升与成本持续优化，预期也将刺激整体市场应用量倍增。