PNY XLR8 CS3140 1TB Gen 4 M.2 SSD

PNY 推出全新高阶 XLR8 CS3140 NVMe M.2 SSD，采用 PHISON PS5018-E18 控制器，搭配 Micron 全新 176 Layers 3D TLC NAND 颗粒，令性能进一步提升至 7,500MB/s Read，4K 随机读写更达至 1,200,000 IOPS Write 惊人水平，厂方提供 5 年保固服务，备有 1TB、2TB 及 4TB 容量可供选择。
PNY 推出全新 XLR8 CS3140 NVMe M.2 SSD，它采用 PHISON PS5018-E18 控制器，搭配性能更强的 Micron 176 Layers 3D TLC NAND Layers，令连续读取性能提升至 7,500MB/s Read、6,850MB/s 水平，4K IOPS 最高可达 1,000,000+，备有 1TB、2TB 及 4TB 版本可供选择，厂方提供 5 年保固。
这次收到厂方送测为 1TB 版本，型号为“M280CS3140-1TB-RB”，采用 M.2 2280 Form Factor、PCI Express 4.0 x 4 传输介面，支援 NVMe 1.4 传输规格，最高连续写入速度为 7,500MB/s Read、5,650MB/s Write，4K 最大 IOPS 高达 900,000 Read、1,200,000 Write，最高写入量写入量达 700 TBW，厂方另备有铝散热器版本的 XLR8 CS3140 可供选择。 
PNY XLR8 CS3140 采用 PHISON PS5018-E18 控制器，采用 TSMC 12nm制程、内建 32bit ARM Cortex R5 三核心处理器再搭配双 CoXProcessor 处理器，具备 8 Channel 、32CE 资料传输通道 ，每条 Channel 速度最高可达 1,600 MT/s，带来惊人 7.1GB/s 宽频与 120 万级 IOPS 性能，具备第 4 代LDPC 纠错引擎，强大的错误修正码技术能提升数据可靠性。 
性能提升的主要来源是 NAND Flash 部份，以往 PHISON E18 方便是采用 Micron 96 Layers 3D TLC (B27B) 颗粒，PNY XLR8 CS3140 SSD 则换上全新的 Micron IA7BG94AYA 3D TLC NAND (B47R) FortisFlash 颗粒，拥有高达 176 Layers，其读写延迟性能提升了约 35%，这方面最明显反映在 IOPS 上，写入速度亦明显增强，同时写入寿命也提升了 25%。 
板载 1 颗 SAMSUNG K4A8G165WC-BCTD DDR4-2666 1GB (512M x 16) 记忆体颗粒、合共 1GB 缓存容量，作为储存 FTL 资料及缓存用途，能有效提升读写速度，加上随机写入数据由 SLC 区块处理，就能提供类似 SLC SSD 的快速反应时间、连续写入则直接传递给 TLC 块。