美光176层QLC NAND SSD量产 强攻消费型笔电市场
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-01-13
美光科技(Micron)日前宣布,首款176层QLC NAND SSD已量产出货,锁定消费性笔记型电脑应用市场,提供更良好的储存密度与性能。美光指出,新2400 SSD导入的NAND架构是为跨用户端与资料中心环境的应用设计,使用PCIe 4.0介面,读取速度较前一代用户端SSD加速23%,且性能提升了两倍,因此可有效加速启动与资料载入时间。

美光记忆体业务部门副总裁兼总经理Jeremy Werner表示,新推出的2400 SSD彰显该公司致力于将QLC颗粒制程技术,逐步导入消费性应用记忆体产品。有鉴于QLC技术可支援更多元的设计选择与更大的容量,该公司认为该技术将可透过2400 SSD的量产加速打入消费市场,进一步拓展消费型笔电应用市场版图。
继美光于2020年量产176层三层式储存(TLC)NAND快闪记忆体后,新量产的QLC NAND快闪记忆体则使用QLC技术。其四层单元设计使层数与密度方面有所改善,除了较前一代开放式NAND快闪记忆体介面(ONFI)I/O速度提升了33%之外,相比前一代96层QLC NAND的表现,性能则提升了两倍、读取延迟降低24%、读取速度提升23%。
据悉,新快闪记忆体所采用的替换闸(Replacement Gate, RG)架构,首度结合了电荷储存式快闪记忆体(Charge Trap Flash, CTF)架构与CuA(CMOS under the Array)设计。对此美光表示,这些改进将有助于消费型笔电市场加速导入QLC SSD,预计2023年时可将市占率提升两倍至突破35%,并且2025年时可达到将近80%。
另一方面,由于2400 SSD锁定消费应用市场推出,美光在续航力及元件占用面积上也有所改善,除可降低一半的待机功耗,美光22✕30mm M.2 SSD也将外型尺寸缩小了63%。除了前述尺寸,也提供其他两种尺寸(22✕42mm和22✕80mm)供消费者选用,并支援通用韧体以大幅减少设计验证时程。
继美光于2020年量产176层三层式储存(TLC)NAND快闪记忆体后,新量产的QLC NAND快闪记忆体则使用QLC技术。其四层单元设计使层数与密度方面有所改善,除了较前一代开放式NAND快闪记忆体介面(ONFI)I/O速度提升了33%之外,相比前一代96层QLC NAND的表现,性能则提升了两倍、读取延迟降低24%、读取速度提升23%。
据悉,新快闪记忆体所采用的替换闸(Replacement Gate, RG)架构,首度结合了电荷储存式快闪记忆体(Charge Trap Flash, CTF)架构与CuA(CMOS under the Array)设计。对此美光表示,这些改进将有助于消费型笔电市场加速导入QLC SSD,预计2023年时可将市占率提升两倍至突破35%,并且2025年时可达到将近80%。
另一方面,由于2400 SSD锁定消费应用市场推出,美光在续航力及元件占用面积上也有所改善,除可降低一半的待机功耗,美光22✕30mm M.2 SSD也将外型尺寸缩小了63%。除了前述尺寸,也提供其他两种尺寸(22✕42mm和22✕80mm)供消费者选用,并支援通用韧体以大幅减少设计验证时程。
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