瑞银估10年内3D DRAM技术有望成形！

随着时间推移，DARM技术迁移和微缩面临越来越多的挑战，瑞银投资银行全球研究部指出，在当前10年内，3D DRAM技术有望于后期成形。
瑞银投资银行全球研究部指出，使用极紫外光刻（EUV）能应对一部分挑战，但它无法解决所有难题。因此，供应商已将目光投向其他领域，虽然仍处于探索阶段，但采用3D DRAM是更有希望的解决方案，这能缩小DRAM记忆元件尺寸，从而提高密度；并说明，在借助多场行业和专家电话会以及瑞银实证所（UBS Evidence Lab）IP分析，得出以下3大结论：
第一， 3D DRAM最早可能于2027年开始初期生产，到2028到29年开始实质性量产。
第二， 这是工艺的进化，光刻仍将是促成微缩的关键因素。
第三， 不同于投资者的一贯认知，它与3D NAND快闪记忆体的相似性有限。
瑞银实证所从3D DARM相关的专利申请达到5,282项中分析3D DRAM并不遥远。
瑞银投资银行全球研究部预计，朝向3D DRAM转型可能令DRAM终端晶圆制造设备（WFE）市场增长8到10%，或整体市场增长2%。
另外，瑞银半导体美国分析师指出，中国智慧手机2021年12月出货量同比增长29.6%，全年同比增长16%，强劲表现主要由本土品牌拉动，因iPhone 12发布延期导致比较基数异常高，让本土品牌的市占率再次上升，达到88%，虽然随着iPhone交付情况改善，市占率可能仍低于90%的长期平均水准；而5G智慧手机继续增长，2021年全年来看，5G出货量增长63.5%，全年渗透率约为78%，2020年约为55%，印证了中国强劲的5G需求。