NAND原厂位元供给成长缓和

三星西安二期第一阶段于2020年投产后，依照规划，第二阶段原定于2021年上半投入营运，并推动128层NAND作为主力制程，但受到建厂进度落后，三星近年来对NAND价格策略较为保守，第二阶段新增产能虽然未全速开出，但根据规划，未来西安二期的月产能可达13万~14万片；先前已投产的一期月产能12万片，将成为三星扩大市占及降低生产成本的关键。
至于南韩平泽P2厂NAND新产能则从2021年下半量产，并将量产最新的176层NAND产品。根据估计，三星2021年投片量约增加7.5万片，2022年主要于平泽P2厂从2.5万增加至5万片，使得整体投片产能约将成长3.5万片。
铠侠(Kioxia)原定2021年下半进行IPO计划，但担忧市场价格看跌，二度拖延原定上市时程，由于资金尚未明确，铠侠拟定的扩产计划连带递延，受到2022年NAND市场尚未复苏，IPO时程可能将延迟至下半年推动。
不过日前日本政府编列6,170亿日圆资金，铠侠K2可能将成为日本政府补助的对象，且K2厂房规模为现有K1厂的2倍，将成为铠侠与策略伙伴威腾(WD)最大规模的厂房，若能顺利取得银弹挹注，将急起直追赶上2023年启用生产的预定计划，快步追赶三星领先的市占差距。在制程规划上，铠侠预计2022~2023年投产将落在162层，200层以上计划尚未明朗。
SK海力士(SK Hynix)2021年在NAND整体投片产能维持平稳，但2021年底完成购并英特尔(Intel)NAND部门后，将进行第一阶段合并计划，新公司作为SSD研发及行销，短期内对NAND产业格局不至于带来显著变化。英特尔也预计在2023年将堆叠技术推动至196层，在2025年双方合并完毕后，未来产品重心将更专注企业级储存应用。
美光(Micron)全球NAND市占率约10~11%，排名位居第五，2021~2022年产能仅有微幅增加，但技术制程已领先三星，率先量产的176层产品陆续获得客户导入，也是首创1α制程DRAM的业者，不过美光目标并不在于提高市占率，更致力于提高在DRAM与NAND利润池(profit pool)占比。
长江存储2018年发表Xtacking技术，随着量产推动而站稳脚步，虽然2020年产能有大幅成长，但2021年128层NAND良率提升尚未达到目标，引进新机台设备的进度也落于预期，但追上良率只在于时间长短的问题。
长江存储预计单月产能10万片规模将可望于2022年上半达阵，并将启用武汉二厂，市占率将随之大幅成长，不过长江存储2022年营运重心将在于产品优化，并积极切入中国一线品牌大厂供应链，从消费性电子产品拓展至PC OEM、手机等领域。
整体来看，2022年各家NAND大厂投产虽然较为保守，但制程竞赛角力却是暗潮汹涌，虽然各家的主力制程落于96/128层，2022年产出重心将移转到176层，随着3D NAND堆叠层数提高的困难度增加，隐然形成两批纵队，技术领先厂商可望于2022年底~2023年推进200层以上，另一批则处于160~196层之间。
至于200层以上堆叠竞赛将由谁先驰得点，业界认为，将形成美光与三星技术对决的态势，虽然美光在176层3D NAND取得量产优势，但三星在176层后进入双叠代制程，未来在学习曲线改善后，将加快跨入200层以上的投产速度。由技术发展来看，3D NAND堆叠极限可发展至400层以上，但高堆叠层数品质不易控制，且制程投资金额将更为庞大。
由此可知，在技术投资门槛拉高的竞争下，NAND产业三大巨头加一的格局已隐然成型。三星、SK海力士、美光三大厂掌握获利丰厚的DRAM业务，更能因应未来新世代技术竞赛的资金支援，持续扩大产业竞争差距，至于长江存储在具备Xtacking技术专利护身，及坐拥中国内需市场的得天独厚地位，2022年市占率将有望首度站上5%，为日后产业势力消长投下变数。