美光宣布176层QLC NAND正式量产出货,锁定资料中心等市场
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-01-24
记忆体大厂美光科技(Nasdaq:MU),宣布全球首款176层QLC NAND SSD现正量产出货,主要将锁定资料中心等市场,同时也将整合至部份美光Crucial消费型SSD中,做为系统设计者的参考元件;而导入该技术所推出的全新美光2400 SSD,则是全球首款针对客户端应用打造的176层PCIe Gen4 QLC SSD。 继先前成功量产176层TLC NAND后,美光近期在技术推进上又有新展获,成功量产176层QLC NAND。相较于前一代解决方案,新款176层QLC NAND I/O流通量提升33%,读取延迟则降低最高达24%幅度。其采用的替换闸(Replacement Gate,RG)架构是现有唯一结合电荷捕捉(Charge Trap)架构与CuA(CMOS under the Array)设计量产的QLC NAND。这些改进将有助于用客户端电脑市场加速导入QLC SSD,预计2023年时可将市占率提升两倍至突破35%,2025年时可达到将近80%。
美光企业副总裁暨储存业务事业部总经理Jeremy Werner表示:“以美光在176层NAND为基础,美光2400 SSD将推动客户端市场朝QLC储存装置转型。新的2400 PCIe Gen4 SSD能实现更广泛的设计选择和更经济实惠的容量,预期将大幅加速客户端装置采用QLC,并进一步巩固美光的市占率。”
此外美光也宣布,新推出的176层PCIe Gen4 QLC SSD,结合176层NAND与PCIe Gen4技术,较前一代美光客户端SSD提升一倍性能和23%读取速度,大幅缩短开机和载入时间。包含全球唯一的2TB 22x30mm M.2 SSD,相较于22x80mm M.2的规格,22x30mm M.2 SSD将占用空间缩减63%,适用于小型的行动笔电。
美光2400 SSD透过公司的主机记忆体缓冲技术(HMB, Host Memory Buffer),使主机能灵活地最佳化性能,具低功耗特性,可支援全天候不受限的运算,且其活动闲置功耗较美光前代解决方案降低了50%,尤其美光2400 SSD的诞生是为了满足英特尔“雅典娜创新计划”(Project Athena)的需求,让使用高解析度显示器的笔记型电脑,实际电池寿命也能超过9小时。
美光企业副总裁暨储存业务事业部总经理Jeremy Werner表示:“以美光在176层NAND为基础,美光2400 SSD将推动客户端市场朝QLC储存装置转型。新的2400 PCIe Gen4 SSD能实现更广泛的设计选择和更经济实惠的容量,预期将大幅加速客户端装置采用QLC,并进一步巩固美光的市占率。”
此外美光也宣布,新推出的176层PCIe Gen4 QLC SSD,结合176层NAND与PCIe Gen4技术,较前一代美光客户端SSD提升一倍性能和23%读取速度,大幅缩短开机和载入时间。包含全球唯一的2TB 22x30mm M.2 SSD,相较于22x80mm M.2的规格,22x30mm M.2 SSD将占用空间缩减63%,适用于小型的行动笔电。
美光2400 SSD透过公司的主机记忆体缓冲技术(HMB, Host Memory Buffer),使主机能灵活地最佳化性能,具低功耗特性,可支援全天候不受限的运算,且其活动闲置功耗较美光前代解决方案降低了50%,尤其美光2400 SSD的诞生是为了满足英特尔“雅典娜创新计划”(Project Athena)的需求,让使用高解析度显示器的笔记型电脑,实际电池寿命也能超过9小时。