创见新工业级PCIe M.2固态硬盘 储存效能与耐用度提升

记忆体模组厂创见（2451）今（26）日发表新一代112层3D NAND工业级PCIe M.2固态硬碟，搭载PCIe Gen4 x4与PCIe Gen3 x4 高速传输介面，提供M.2 2280尺寸规格，容量选择高达2TB，全面提升硬碟储存效能与耐用度，可望为AIoT、5G、企业伺服器与工业电脑应用提供更稳固的储存解决方案。
创见指出，受惠于新一代112层3D NAND快闪记忆体的技术突破，每单位颗粒容量可高达1Tb，与96层堆叠技术相比提高了近两倍，除晶圆密度提升，112层3D NAND也具备更快的传输速度，读写效能可提高50%，创见112层3D NAND工业级固态硬碟耐用度达3K次抹写周期（P/E cycles），可在-20°C到75°C的类宽温（Extended Temperature）温度范围下稳定运作，所有产品皆经过严苛的品质检验与测试，确保耐用度与可靠度可支援高工作负载的工业应用。
创见表示，工业级PCIe M.2固态硬碟MTE720T，亦搭载PCIe Gen4 x4高速传输介面，符合NVMe 1.4 通讯协定，采用8通道控制器，内建DDR4 DRAM快取，大幅提升随机存取效能，读写速度最高可达7,400 MB/s与 6,000 MB/s，适合大量资料传输。
此外，创见采用边缘补强技术（Corner Bond）与 30μ” 金手指，保护关键元件并提升硬碟插拔次数，加强抗震与耐用程度，为工业应用带来更优异稳定的储存表现。
创见强调，112层3D NAND工业级PCIe M.2固态硬碟亦搭配先进韧体技术，内建ECC自动纠错功能、全区平均抹写（Global Wear Leveling）、故障区块管理技术、Garbage Collection、S.M.A.R.T.监控分析，以及动态热能管理机制协助监控硬碟温度，防止装置过热，强化资料存取的稳定性与正确性。