西数、铠侠快闪记忆体材料遭污染 冲击3D NAND产能

威腾电子 (WDC-US) 与记忆体大厂铠侠周三 (9 日) 表示，由于快闪记忆体原料遭到污染，导致日本两座记忆体厂产能出现问题。
两家公司透过声明表示，四日市、北上两座厂房产能受到原料污染影响，目前正全力恢复两厂的正常营运。两者并未提供损失估计以及恢复状况。
铠侠表示， 3D NAND Flash 是主要受影响的产品，预料传统 2D NAND 出货量不会受到影响。
在晶片短缺仍未缓解之际，此消息为供需紧绷的市场带来新的挑战，快闪记忆体是许多电子设备的重要零件之一，应用范围涵盖从苹果的 iPhone 到超级电脑。
除了威腾与铠侠外， 其他快闪记忆体供应商还包含三星电子、SK 海力士与美光 (MU-US)，目前三星电子为记忆体市场龙头。