NAND Flash涨价，台厂持低价库存受惠

美国电子材料市调机构Techcet报告指出，美国多家半导体厂制造用的钯(Pd)、氖(Ne)及六氟丁二烯(C4F6)等关键原料高度依赖俄罗斯及乌克兰，有超过九○％的氖透过乌克兰供应(全球市占七○％)，三五％的钯是来自俄罗斯。
一旦双方冲突再升级，美国制裁俄罗斯，俄罗斯则透过中断原料报复美国，美国半导体产业首当其冲，也会影响全球供给量。
钯为生产DRAM、NAND Flash及感测器的主要原料。氖为半导体微影制程的KrF雷射所需，成熟制程深紫外光(DUV)及先进制程极紫外光(EUV)曝光机台都需使用氖。
氖是俄罗斯钢铁制造时所产生的副产品，俄罗斯所生产的氖会送到乌克兰一家专业公司进行纯化作业再出口美国。六氟丁二烯用在半导体蚀刻制程，美国每年消耗八吨的六氟丁二烯，俄罗斯则为六氟丁二烯主要供应国家。
乌克兰除了氖气，也供应全球约四○％氪气及三○％，分别用于KrF雷射及蚀刻制程。由于乌克兰氖、氪、氙市场供应量大，若战争不幸爆发，半导体制程的电子气体将陷入紧缺。
NAND Flash成少数受惠者
俄罗斯与乌克兰冲突，对整体半导体产业恐是弊多于利，仅供需原已准备反转的NAND Flash，有望因此扩大供给缺口，进一步推升报价反弹幅度。
记忆体大厂威腾电子(Western Digital)及铠侠(Kioxia)两间公司位于日本境内四日市及北上市的NAND Flash合资工厂在一月中发生化学原物料污染，将减少3D NAND Flash位元产出。铠侠已告知客户四月起3D NAND Flash出货将受影响。
根据威腾预估，此事件将导致NAND Flash约6.5EB产出位元受到影响，市场估算可能将减少全球NAND Flash第一季位元生产量约三～四％。
但由于铠侠受损部分尚未合并计算，市场预估产出影响缺口最高可能达16EB，相当于单季总消费量约十％，影响全年约二．五～三％产能。