华邦电子25nm DRAM S微缩制程良率表现佳，预计年底投产

据台媒报导，华邦电子目前在台中厂试产的25nm DRAM S微缩制程产品良率表现已与成熟的25nm制程相当，未来将成为高雄新厂的主力，预计年底投产。

2021年第四季华邦电子在内存部门中，DRAM占比重46%、flash占比重54%，主因DRAM因25nm的产出增加，带动占比提升。制程部分，25nm占比重已达54%、38nm占11%、46nm为29%、65nm占6%。
以目前25S在台中厂试产的情况，良率已达水平，第四季估在高雄新厂投满10K，另外，下一世代20nm产品也在台中试做，但关键机台的导入还会在高雄生产。
产能方面，除了高雄新厂外，华邦电子台中厂产能目前58K/月，年底可望小幅增产到60K，新增的产能会挪估flash产品。