大摩：DRAM竞争加剧 冲击华邦、南亚科

大摩表示，近期供应中断正在支持上半年NAND定价，而中厂扩大产能可能对中国台湾DRAM厂带来负面影响。摩根士丹利（Morgan Stanley，大摩）报告表示，近期NAND（储存型快闪记忆体）供应中断正在支持上半年NAND定价，群联（8299）毛利率预计将提升；中国长鑫存储将在第2季提供17奈米DRAM（动态随机存取记忆体）样品，可能对南亚科、力积电、华邦电等台湾DRAM厂营收带来负面影响。
美国威腾电子（Western Digital）与制造伙伴、日本晶片制造商铠侠（Kioxia）晶圆厂日前证实制造过程中使用的材料受污染，正影响其位于日本四日市（Yokkaichi）和北上（Kitakami）2座工厂的生产。这为NAND厂商在今年上半年创造更好的定价环境。
大摩认为，第2季NAND价格可能会反弹，群联会是反弹主要受益者，因为该公司计划将组件价格提高15％，毛利率可能在上半年恢复到30％。
大摩观察发现，长鑫存储17奈米良率已达40％，预计将在第2季向客户提供DDR4产品。今年长鑫存储合肥厂产能可能会扩大到8万，并在北京建新厂，用于未来的17奈米制程。大摩表示，相较于台湾的DRAM厂南亚科（20奈米）、力积电（25奈米）和华邦电，长鑫存储17奈米制程应有更好的成本结构。北京兆易创新（GigaDevice）也开始销售19奈米DRAM产品，由长鑫存储代工。另一方面，紫光则叫停旗下DRAM计划。
报告预估，订单积压刷新可能将NOR Flash（编码型快闪记忆体）定价稳定性延长到第2季。由于3D NAND更好的定价，相关股票情绪转为正向。但大摩认为，下半年价格进一步上涨的可能性较低，对旺宏、华邦电持保守态度。大摩认为所有NOR供应商利润前景将在上半年维持稳定，或小幅上升，这主要反映在价格上。在库存增加的情况下，大摩担心下半年的次季节性需求前景。