传3纳米良率难拉升 台积电已多次修正蓝图
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-02-22
台积电总裁魏哲家在月前的法说会上透露,3纳米制程进展符合预期,将于今年下半年量产。不过据digitimes最新报道,半导体设备厂商透露,台积电3纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正3纳米蓝图。
半导体设备厂商并指出,台积电已将3纳米划分出N3、N3E与N3B等多个版本以符合不同客户的需求。
据悉,与5纳米工艺相比,3纳米制程可以提高70%的晶体管密度,15%的性能,降低30%的功耗。有消息称台积电将在2023年第一季度开始向苹果和英特尔等客户运送3纳米芯片,第一批采用3nm芯片的苹果设备预计会在2023年首次亮相。
半导体设备厂商并指出,台积电已将3纳米划分出N3、N3E与N3B等多个版本以符合不同客户的需求。
据悉,与5纳米工艺相比,3纳米制程可以提高70%的晶体管密度,15%的性能,降低30%的功耗。有消息称台积电将在2023年第一季度开始向苹果和英特尔等客户运送3纳米芯片,第一批采用3nm芯片的苹果设备预计会在2023年首次亮相。
上一条: 威刚:已提前备足原料,合约价将于第一季见底
下一条: 大摩:DRAM竞争加剧 冲击华邦、南亚科