​其它半导体缺料 导致DRAM、NAND订单遭削减

美国记忆体晶片大厂美光执行长梅罗塔（Sanjay Mehrotra）示警，半导体晶片供给吃紧状况改善速度不如预期，导致美光两大终端应用产品出货受阻，电脑制造商更因而削减美光等记忆体供应商的订单。梅罗塔此言意味记忆体厂仍面临出货压力，南亚科、华邦等台厂同步警戒。
美光是全球第三大DRAM厂，居三星、SK海力士等两大韩厂之后。美光也是全球第五大储存型快闪记忆体（NAND Flash）制造商。
美光在记忆体具指标地位，梅罗塔此言，意味半导体元件“长短料”状况延续，记忆体因不属于供给短缺的“短料”，在其他晶片供应不足下使得无法满足整机出货下，导致终端业者不愿多囤积记忆体等“长料”，不仅美光记忆体订单遭削减，南亚科、华邦等台厂恐也面临相同的压力。
梅罗塔接受彭博电视专访时表示，因需求激增、生产受限而造成的电子零件短缺情况，已使得半导体产业尤其容易受地缘政治情况丕变冲击，即便当前因运输造成的供应短缺情况在某些领域正在改善，但还是有不少领域还没有进展。
他说，使用美光记忆体晶片的最大产品领域：手机和电脑的出货已因基本的晶片短缺而受阻。这使得PC业者对美光等业者砍单。梅罗塔表示：“未来一年当然期望非记忆体元件供应短缺的情况改善。然而短缺改善率正落后于我们原先的期望。”
相较于美光释出遭砍单的讯息，南亚科认为，市场需求正向，通路商及全球前三大厂库存水位也都维持健康。价格方面，南亚科预期首季DRAM合约价跌幅缩小，不过现货价已开始起涨，预期首季整体价格跌幅将为低个位百分比，可望于第2季回稳甚至走扬。
业界认为，出货受阻仅为短期、递延现象，因为晶片供应的状况仍持续缓减，从整体需求面来看，5G智慧手机的行动式DRAM搭载容量、新一代笔电的标准型DRAM搭载容量、伺服器的DRAM搭载容量都较去年提升，因此在多重应用的推动下，平均DRAM搭载容量较去年倍增，显现DRAM产业趋势仍为正向。
市场方面，今年首季标准型DRAM合约价将较去年第4季下跌不到10%，但现货价持续缓涨走高，与合约价间的溢价差已超10%，预期第2季合约价应可止跌回升，部分商家可能乐观看待下半年合约价格将逐季调涨。