俄乌开战对记忆体春燕影响主要在心里层面

近期半导体产业杂音频传，加上评价修正剧烈的股价，几乎快成为人人喊打的过街老鼠，此时外资与投信却不约而同逆势大举抢进台股的记忆体族群。究竟记忆体施展了什么魔法，能如此迷倒内外资法人，就让我们继续看下去。
由于威腾电子(Western Digital)及铠侠(Kioxia)去年第四季的NAND Flash合计全球市占率33.4％，在两家的日本合资NAND Flash工厂遭到化学原物料污染后，NAND Flash产业供需反转、报价上涨已成为市场共识，威腾及美光也已向客户发出涨价通知。
现在又多了合计市占率达24.4％的美厂威腾、美光，可能因为俄罗斯与乌克兰的冲突导致断料供给减少的风险，加上市场预期心理的提前囤货行为，将进一步增强NAND Flash涨价效应。

俄罗斯总统普丁承认乌克兰东部二个分离共和国是独立实体，并下令俄罗斯军队进入乌东进行维和行动后，已被国际视为俄罗斯正式入侵乌克兰，美国、欧盟及英国也纷纷对俄罗斯祭出制裁，一旦俄罗斯反制裁美国半导体厂制造所需的关键原料，美国半导体厂生产将会受阻。
半导体厂或气体供应厂皆备有库存，且仍有其它地区供应的情况下，短期内虽不至于造成产线中断影响产出，但气体供应量减少将可能造成价格上涨，晶片生产成本可能因此上涨。当然最后就会推升包含NAND Flash的半导体产品报价。
除了NAND Flash外，DRAM也是可能面临生产断料的记忆体产品，美厂美光的DRAM产品去年第四季在全球市占率达近23％，一旦俄罗斯出手反制裁，对DRAM产业供给将产生一定的冲击。同样可预期会出现市场预期心理的提前囤货行为，有助改善DRAM产业的供需情况。
DRAM大厂早已严控供给早在乌俄冲突前，合计市占率高达九四．四％的三星、海力士及美光全球三大DRAM厂，对供给就有踩煞车的动作，不管是产品线由DDR4转换至DDR5，或是制程微缩至极紫外光(EUV)的1α奈米，转换过程都会导致产出减少。
厂商为了稳定产品报价以维持获利，也严控资本支出及位元成长率，将新产能扩充计划递延到下半年才开出，三大厂均预估今年DRAM供给位元成长率会降至20％以下。
至于需求面，则来自各电子产品搭载记忆体容量不断增加的产业趋势，例如今年苹果将上市的iPhone 14 Pro 搭载的RAM 就传出可能会由iPhone 13 Pro的6GB提升至8GB，新一代笔电搭载DRAM容量也拉高至32GB，伺服器DRAM搭载容量则提升至64GB或128GB。
其他像是人工智慧(AI)、高速传输(HPC)、显示卡、车用电子、工业自动化系统、5G基地台及高速网路基础建设等，搭载DRAM平均容量也较去年倍增。DRAM厂普遍预估今年DRAM需求位元成长率落在15~20％，整体市场供需原就有机会趋于平衡。