台系模组厂看后市：NAND 比 DRAM 更紧？

记忆体市况在诸多不利因素远离，又加上铠侠与威腾污染事件影响市场短期供需失衡，整体记忆体市况将于第二季起迈向正向循环，中国台湾记忆体厂也陆续释出对后市看法，整体产业落底趋势确立，尤其 NAND Flash 供需更紧，两大记忆体报价反转向上，第三季则进入传统旺季，延续动能。

威刚董事长陈立白指出，铠侠与威腾的工厂产线受污染事件后，让记忆体空头已提前结束。以生产时序推估，NAND Flash供货将会在3月至5月最为吃紧，在市场预期心理带动下，2月下旬的NAND Flash现货价已明显走扬。随着现货价站稳脚步，预估两大记忆体合约价也将在本季落底，第二季开始回温，稳步向上发展。

DRAM部分，半导体供应链长短料问题正逐步纾解，加上DRAM现货价自去年12月开始止跌回升，已维持近一个季度的稳健走势，客户对DRAM备货也转为积极正面。

宇瞻认为，DRAM上涨力道已在蠢动，主要来自智慧型手机、消费电子和伺服器以及PC，但因DRAM不是短料，在长短料的不平衡下，记忆体常常是最后一秒才拉货，客户动态变化很大，目前长短料状况改善中，估下半年短料转顺畅，需求会浮现，尤其组装系统的买家通常会在最后才采购记忆体，但价格微幅上升时客人就会回头采买。

至于在NAND Flash部分，因污染事件第二季后将转为大幅供不应求，直接的缺货发生在4~5月，Flash会很快价格上涨，第三季迎季节性旺季来临，第四季才会缓跌。

群联认为，铠侠／威腾污染事件，影响NAND Flash生产时程约4~5个月（Wafer in到封装测试完成），原厂已于3月3日公告全线恢复产能，期间共计约6星期，未污染的产品预计3月进入市场，惟因产线停工约6星期，4月应就会影响供给输出，届时将出现供给缺口，影响时间点落在4~6月，预期第二季将有供不应求的状况，而群联于去年第四季到今年第一季持续积极备库存，预计在5月底到6月初可供应客户需求。