全球NAND快闪资本支出 今年估增8%创新高

IC Insights预测今年NAND快闪记忆体资本支出将增长8%至299亿美元，超过2018年的278亿美元的历史最高记录。快闪记忆体资本支出在2017年飙升，当时该产业正进行3D NAND转型，此后每年都超过200亿美元。2022年，快闪记忆体的资本支出预计将增至299亿美元，其因各大小型供应商将维持适度激昂的支出水平。
IC Insights对半导体行业的资本支出预测，包含其最近发布的2022年麦克林报告(McClean Report)的第一季更新版。更新还包括对IC行业产能、前25位半导体销售领导者、汽车IC市场的回顾和分析，以及对DRAM、快闪、MCU、MPU、类比IC产品细分市场的详细预测。
上述预测的299亿美元的支出占2022年整个IC行业资本支出预测1904亿美元的16%，仅落后于晶圆代工部门，晶圆代工预计将占今年行业资本支出的41%。
新建和最近刚升级的NAND快闪记忆体工厂包括三星平泽市(Pyeongtaek)Lines 1和2(也用于DRAM和代工)、三星第二期投资在大陆西安、铠侠(Kioxia)在日本岩手(Iwate)的Fab 6(Flash Ventures)和Fab K1、美光(Micron)在新加坡(Singapore)的第三家快闪记忆体厂。此外，SK海力士(SK Hynix)也为其M15工厂的剩余空间配备了NAND flash。
随着NAND快闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上(200-plus)设备竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。三星和美光预估将是首批开始量产今年晚些时候的200层设备的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国大陆西安的晶圆厂将成为新进NAND两座晶圆厂的关键制造基地，而每个晶圆厂全面投产后每月可生产12万片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK海力士预计将在2023年转移到196层。