三星电子推出业界首款512GB CXL记忆体模组

新一代CXL记忆体容量霸气提升四倍实现10TB等级的伺服器扩充与系统延迟降至五分之一
三星亦同步推出升级版开源软体套件，以将CXL记忆体部署至新旧IT系统 
全球先进记忆体技术领导品牌三星电子，宣布成功开发业界首款512GB CXL（Compute Express Link）DRAM，为CXL商转迈出重要步伐，实现未来IT系统的超高记忆体容量和低延迟表现。 
新型CXL DRAM以特殊应用积体电路（ASIC）CXL控制器建构，并首次封装512GB DDR5 DRAM，其记忆体容量为前一代Samsung CXL产品的四倍，系统延迟则降至五分之一。 
三星电子记忆体全球业务行销副总裁、身兼CXL联盟总监的Cheolmin Park表示：“随着三星积极扩大CXL DRAM于新世代记忆体架构中的应用，包括软体定义储存（SDM）；以及人工智慧（AI）、大数据服务的大跃进，都将助力CXL DRAM成为未来运算架构的关键转捩点。三星将持续密切携手业界，共同开发和标准化CXL记忆体解决方案，促进生态系的健全发展。” 
Lenovo 基础架构解决方案事业群技术长Greg Huff表示：“身为CXL联盟的活跃成员，Lenovo致力开发此项重要标准，协力打造以新型CXL互联技术为核心的生态系。而身为三星CXL开发计划的一员，我感到十分荣幸，并将于未来Lenovo系统中的CXL创新产品内，注入成长与应用的动力”。 
Montage 科技策略技术副总裁Christopher Cox谈到：“CXL为一项关键技术，其能藉由更创新的方式管理记忆体扩充和池化，于新世代伺服器平台中扮演十分重要的角色。Montage非常高兴持续与三星合作，推动CXL生态系的迅速扩展。” 
近年来，随着元宇宙、人工智慧和大数据的蓬勃发展，产生数据量呈现爆炸性成长。然而，受限于传统的DDR设计架构，记忆体的容量扩充难以达到10TB等级，因此需要如CXL全新记忆体的介面技术。
CXL和主记忆体共用的庞大记忆体池，使伺服器得以扩充记忆体容量至10TB等级，同时将频宽增加至每秒数TB。
三星推出的512GB CXL DRAM为首款支援PCIe 5.0介面的记忆体装置，并将采用EDSFF（E3.S）尺寸规格，特别适合新世代高容量企业伺服器和数据中心。 
本月下旬，三星将公布其开源可扩展记忆体开发套件（Scalable Memory Development Kit，SMDK）的更新版本。该全方位软体套件，能使CXL记忆体扩展器于异构记忆体系统中顺畅运作，因此系统开发人员可轻松将CXL记忆体导入AI、大数据和云端应用程式等各式IT系统，无须修改现有的应用环境。 
今年第三季起，三星将开始提供客户和合作伙伴512GB CXL DRAM样品，联合进行评估和测试，并随着新一代伺服器平台的推出，为记忆体的商转化做好准备。身为CXL联盟的理事会成员，三星将于开发新世代介面技术上，与众多的全球数据中心、伺服器和晶片组供应大厂展开开放式合作，为IT产业创造实质助益。