南亚科：H2资料中心需求看升，DDR5小量导入市场、

中国台湾南亚科今(26)日召开股东会，承认2021年财报，董事长吴嘉昭看好今年下半年云端资料中心需求持续领先成长，DDR5下半年将小量导入市场，5G手机出货比重提升，DRAM搭载也将同步增加，商用及电竞机种笔电需求仍强劲；此外，为满足市场需求，公司规划在南林科技园区中兴建一座双层无尘室新厂，预计2025年开始装机量产。
南亚科2021年合并营收856亿元，年增约40%；税后净利228.5亿元，每股盈余7.4元。2021年销售量与前一年相当，但均价大幅上升，带动营收成长。
吴嘉昭指出，去年前三季各产业逐步复苏，DRAM也逐季快速回温，公司弹性调整产品组合，以因应市场起伏及客户需求，并降低库存水位，使得产品销售均价与市况同步成长；自第四季起，因供应链长、短料及部分非记忆体电子零组件缺货等因素，影响终端产品如电脑、电视、汽车的生产，DRAM市况小幅修正。
整体而言，南亚科2021年销售均价较2020年增加超过40%，营收与毛利得以大幅上升；其中，营业毛利为370.4亿元，毛利率达到43.3%，比前一年25.7%提升17.6个百分点；营业活动净现金流入达到441.1亿元，全年自由现金流量达到328.5亿元。
展望今年下半年，吴嘉昭表示，云端资料中心需求持续领先成长，DDR5下半年小量导入市场，5G手机出货比重提升，DRAM搭载也将同步增加，商用及电竞机种笔电需求仍强劲；惟手机及笔电，受到全球通膨、地缘政治、缺料影响较重，需求成长趋缓。而消费型电子终端产品如网路通讯、智慧穿戴、智慧音箱、固态硬碟等需求预期成长；VR头盔、智慧眼镜将受惠元宇宙概念及新款游戏机推出而成长，不过仍需观察全球通膨、乌俄战争、疫情及供应链缺料的影响。
在自主技术开发方面，南亚科第一代10奈米级制程技术(1A)第一颗产品8Gb DDR4试产顺利，达良率目标，第二颗产品DDR5的设计已完成并投入试产，1A制程预计今年下半年导入量产，而第二代10奈米级制程技术(1B)也已开始投片试产。在新厂方面，为满足市场需求及公司长远发展，南亚科规划在南林科技园区中兴建一座双层无尘室新厂，订于6月23日举办动土典礼，目标于2025年开始装机量产，产能规模将视市场需求分阶段设置。