ADATA XPG GAMMIX S70 Blade 1TB SSD
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-05-30
中国台湾厂家ADATA 推出全新 XPG GAMMIX S70 Blade NVMe M.2 SSD，采用美商 INNOGRIT IG5236 主控制器搭配 SK Hynix 64 Layers 3D TLC NAND 颗粒，提供 7,400MB/s Read、6,800MB/s Write 惊人速度，4K 随机读写更高达 800,000 IOP IOPS，附连厚身铝金属散热片可相容 PS5 游戏机，厂方提供 5 年保固服务，备有 512GB、1TB、2TB 及 4TB 容量可供选择。
ADATA 推出全新 XPG GAMMIX S70 Blade NVMe M.2 SSD 系列，旧版 GAMMIX S70 由于散热器设计问题无法用于 PS5 游戏机，厂方特别推出了 Blade 版本改用薄身散热器，能同时满足 PC 与 PS5 玩家需求，采用美商 InnoGirt IG5236 主控制器搭配 SK Hynix 64 Layers 3D TLC NAND 颗粒，提供最高达 7,400MB/s Read、6,800MB/s Write 连续读写速度，4K 随机读写更高达 800,000 IOPS，厂方提供 5 年保固服务，备有 512GB、1TB、2TB 及 4TB 容量可供选择。
这次收到厂方送测为 1TB 版本型号为 AGAMMIXS70B-1T-CS，采用 M.2 2280 Form Factor、PCI Express 4.0 x 4 传输介面，支援 NVMe 1.4 传输规格，1TB 总写入量达 740TBW，2TB/4TB 则有 1,480 TBW，MTBF 平均故障间隔时间达 2,000,000 小时，中国台湾生产。
散热方面，XPG GAMMIX S70 Blade 附连 1.5mm 厚的黑色铝合金散热片，用家可选择安装与否，外观设计与记忆体 XPG Spectrix D50 非常相似，以几何造型线条勾勒，带有几何线线金属切割相当抢眼，可以迅速地把控制器温度扩散至更大散热表面，有效地降温，维持系统稳定，更重要是它可以完美相容 PS5。
可能大家会对 InnoGirt 感到陌生，它是由一批 Marvell 工程师于 2016 年自立门户的美商晶片公司、总部设于美国矽谷，InnoGirt IG5236 是它们现时最强的主控制器，采用 TSMC 12nm FinFET CMOS 制程，内建 32bit ARM Cortex R5 四核心处理器，具备 8 Channel 、32CE 资料传输通道 ，每条 Channel 速度最高可达 1,600 MT/s，带来惊人 7.4GB/s 读写频宽与 1 百万级 IOPS READ 性能，更重畏是晶片最高功耗仅 3W。
是次厂商送测 XPG GAMMIX S70 Blade采用了 4 颗自家的 3D NAND Flash，经查证为 SK Hynix TLC NAND Flash，总量容是 1TB、每颗颗粒容量为 256GB，最高总写入寿命为 740 TBW (1TB) / 1,480 TBW (2TB)，最高连续读写速度为 7.4GB/s Read、6.8GB/s Write，4K IOPS 750K Read / 750K Write。
板载 2 颗SAMSUNG K4A4G165WF-BCTD 8Gb DDR4 记忆体颗粒、合共 2GB 缓存容量，作为储存 FTL 资料及缓存用途，能有效提升读写速度，加上随机写入数据由 SLC 区块处理，就能提供类似 SLC SSD 的快速反应时间、连续写入则直接传递给 TLC 块。
散热方面，XPG GAMMIX S70 Blade 附连 1.5mm 厚的黑色铝合金散热片，用家可选择安装与否，外观设计与记忆体 XPG Spectrix D50 非常相似，以几何造型线条勾勒，带有几何线线金属切割相当抢眼，可以迅速地把控制器温度扩散至更大散热表面，有效地降温，维持系统稳定，更重要是它可以完美相容 PS5。
可能大家会对 InnoGirt 感到陌生，它是由一批 Marvell 工程师于 2016 年自立门户的美商晶片公司、总部设于美国矽谷，InnoGirt IG5236 是它们现时最强的主控制器，采用 TSMC 12nm FinFET CMOS 制程，内建 32bit ARM Cortex R5 四核心处理器，具备 8 Channel 、32CE 资料传输通道 ，每条 Channel 速度最高可达 1,600 MT/s，带来惊人 7.4GB/s 读写频宽与 1 百万级 IOPS READ 性能，更重畏是晶片最高功耗仅 3W。
是次厂商送测 XPG GAMMIX S70 Blade采用了 4 颗自家的 3D NAND Flash，经查证为 SK Hynix TLC NAND Flash，总量容是 1TB、每颗颗粒容量为 256GB，最高总写入寿命为 740 TBW (1TB) / 1,480 TBW (2TB)，最高连续读写速度为 7.4GB/s Read、6.8GB/s Write，4K IOPS 750K Read / 750K Write。
板载 2 颗SAMSUNG K4A4G165WF-BCTD 8Gb DDR4 记忆体颗粒、合共 2GB 缓存容量，作为储存 FTL 资料及缓存用途，能有效提升读写速度，加上随机写入数据由 SLC 区块处理，就能提供类似 SLC SSD 的快速反应时间、连续写入则直接传递给 TLC 块。
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