SK海力士 三星今年将推出236层NAND Flash

据南韩媒体 BusinessKorea 今 (17) 日报导，三星电子今年将发表 236 层 NAND  Flash 快闪记忆体产品，并将在本月成立新的研发中心，负责开发更先进的 NAND Flash 产品。
记忆体厂持续增加 NAND Flash 堆叠层数，追求更高效能。美光科技首先宣布开发全球首款 232 层堆叠 NAND Flash，SK 海力士最近也宣布完成 238 层堆叠产品开发，中国长江存储则完成 232 层堆叠 NAND Flash 开发。
SK 海力士表示， 238 层 NAND Flash 预计明年上半年开始大规模量产，238 层 NAND 晶片的传输数据速度提升 50%，数据消耗的能量降低 21%，比美光近期推出的 232 层 NAND 晶片堆叠层数更高。
这使得龙头三星目前面临追赶压力，三星目前 NAND Flash 市占率 35% ，层数记录仅为 176 层。
不过，近期记忆体市况低迷，记忆体大厂美光 (MU-US) 近期坦言，受客户去化库存影响，下修本季营收预估，并示警在位元出货量减少下，下季营收、毛利率都将显著下滑。