三星砸千亿 扩产4奈米抢晶圆代工订单

三星强攻晶圆代工先进制程，继6月底宣布3奈米领先业界量产后，4奈米在良率显著提升下，正着手扩产，预计今年第4季每月新增上看2万片产能，并规划在4奈米豪掷约5兆韩元（约新台币1,140亿元）投资，与台积电一较高下，欲从中国台湾台积电手上抢下更多高通、超微、辉达等大厂晶圆代工订单。
对于相关消息，三星表示，无法确认产量和投资增加问题。台积电昨（17）日也未回应相关竞争对手讯息。
南韩媒体infostockdaily报导，独家掌握三星电子旗下晶圆代工事业的4奈米产能将扩充到位。infostockdaily披露，三星晶圆代工4奈米制程因为良率提升至近约六成，随客户需求提升而决议扩产，相关投资挹注下，三星晶圆代工在4奈米投资将达约5兆韩元（折合新台币约1,140亿元）。
业界指出，三星集团晶圆代工产能过往约六成提供自家晶片生产，其余承接委外订单，今年持续积极扩产，并扩大承接晶圆代工订单，将自家晶片产能占比降至五成，藉此在记忆体市况逆风下，提升半导体事业获利。研究机构估计，三星在先进制程产能规模仍仅约台积电五分之一。
三星在晶圆代工先进制程积极扩张之际，也整合集团资源，扩大接单优势，旗下三星电子与三星电机积极整合完整先进封装，剑指台积电另一大客户超微高速运算晶片订单。
三星电机日前发布新闻稿指出，今年下半年成长动能在南韩本地首款伺服器用的FCBGA载板（俗称ABF载板）量产，配合三星集团先进封装所需载板，将应用于伺服器、网通与车载领域。
三星电子日前公开表示，第2季资本支出集中在南韩平泽P3厂区基础设施以及华城、平泽，与大陆西安厂的工艺升级，对晶圆代工的投资则专注提高5奈米以下先进制程生产能力。
依据三星计划，平泽P3新厂计划5月至7月设备进厂，较原先提早约一个月，将先开出储存型快闪记忆体（NAND Flash）产能，后续规划开出3奈米晶圆代工产能。