广颖采用112层3D NAND推新品 锁定工业市场
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-08-19
中国台湾存储器领导品牌SP广颖电通宣布,采用最新112层BiCS5 3D TLC NAND技术,推出各式工业用记忆卡,其具备低延迟、高耐用、抗严苛环境等特性,还能提供极具吸引力的成本结构及超大容量,充分满足数据运算需求的速度与准确性,耐用性及高效能兼具。
广颖指出,有鉴于近年来5G、物联网、边缘运算、安防监控、智慧医疗、人脸辨识等应用蓬勃发展,连带带动各式摄影、感测和监控等边缘运算储存设备持续推升。
最先进的快闪记忆体技术第五代3D NAND技术BiCS5,拥112层垂直堆叠的储存容量,I/O频宽经改良,相较BiCS4,效能攀升;不仅如此,容量与速度也大幅提升;更重要的是,BiCS5具优异成本结构,可满足客户对稳定性与单位容量成本效益提高的期望,也成为5G、AIoT或资料中心伺服器应用最可靠的选择。
广颖指出,有鉴于近年来5G、物联网、边缘运算、安防监控、智慧医疗、人脸辨识等应用蓬勃发展,连带带动各式摄影、感测和监控等边缘运算储存设备持续推升。
最先进的快闪记忆体技术第五代3D NAND技术BiCS5,拥112层垂直堆叠的储存容量,I/O频宽经改良,相较BiCS4,效能攀升;不仅如此,容量与速度也大幅提升;更重要的是,BiCS5具优异成本结构,可满足客户对稳定性与单位容量成本效益提高的期望,也成为5G、AIoT或资料中心伺服器应用最可靠的选择。