美国商务部18纳米DRAM/128层NAND禁令

总部在中国安徽合肥的长鑫存储从2016年创立后，快速推进DRAM制程量产，业界传出2022年已在19纳米DRAM量产成功基础上，推进17纳米量产DRAM，预计2023年放量出货。
据美国商务部产业安全局(BIS)网站新闻稿显示，美国政府要求设备供应商包括应材(Applied Materials)、科林研发(Lam Research)、科磊(KLA)等美系业者，在向中国本土业者出货16/14纳米(含)以下FinFET制程逻辑晶片设备，以及18纳米(含)以下DRAM与128层(含)NAND或更高层数记忆晶片相关设备之前，必须取得美国商务部许可执照。
此举不仅将影响已经在量产14纳米FinFET制程晶片的中芯国际，也将影响长江存储现有128层NAND量产出货，以及长鑫存储计划从2023年起，从19纳米直攻17纳米DRAM放量出货的原订计划。BIS出口管制设备禁令从公布日10月7日起生效施行。
韩系记忆体业者中国工厂设备取得豁免于美方出口管制禁令后，以现阶段仍以量产15纳米制程DRAM为主的SK海力士无锡厂，以及三星西安目前重点量产的128层V-NAND，均可望延续量产记忆体晶片、供应中国市场所需，不至于蒙受设备断供、产线中断的风险；相较于长江存储、长鑫存储，在某种程度上，的确也类似韩媒先前传出美方替韩厂开后门的报导。