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三星:深化产业合作 推动记忆体与逻辑IC高速成长

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2022-10-20
三星着眼新一波记忆体解决方案和无限合作潜力,助攻资料中心、伺服器、行动、游戏与车用电子应用更上一层楼
系统半导体事业部强调其“整体解决方案”无晶圆厂定位,借助多元产品阵容提供客户最佳解决方案全球先进半导体技术领导品牌三星电子于2022年Samsung Tech Day展示一系列先进半导体解决方案,旨在驱动未来十年的数位转型。三星自2017年起每年举办Tech Day,本次睽违三年,于圣荷西Signia by Hilton饭店以实体形式登场。 
今年盛会吸引逾800位客户与合作伙伴共襄盛举,三星记忆体与系统半导体(System LSI)事业部负责人轮番发表演讲,包括总裁暨记忆体事业部负责人Jung-bae Lee、总裁暨系统半导体事业部负责人Yong-In Park,以及三星执行副总裁暨装置解决方案(DS)事业群美洲分部负责人Jaeheon Jeong,揭示三星最新技术进展与未来愿景。 

系统半导体事业部重要进展
上半场议程中,系统半导体事业部强调将妥善组合独特且类型广泛的产品阵容,创造最大综效,朝“整体解决方案无晶圆厂”(total solution fabless)目标迈进。系统半导体事业部为三星电子旗下的无晶圆IC设计厂,供应约900项产品,涵盖SoC(系统单晶片)、影像感光元件、数据机、面板驱动IC(DDI)、电源管理IC(PMIC)和安全解决方案。 
系统半导体事业部除生产业界领先的单项产品,亦提供整合多种逻辑IC的整体解决方案,完整满足客户需求。 
三星电子总裁暨系统半导体事业部负责人Yong-In Park表示:“身处机器需具备学习与思考能力的时代,扮演机器大脑、心脏、神经系统和双眼的逻辑晶片,其重要性不可同日而语。三星将集结并整合嵌入在各种产品的技术,如SoC、感应器、DDI和数据机,以整体解决方案供应商之姿,引领第四次工业革命。” 

晶片终极愿景:媲美人脑
第四次工业革命是系统半导体事业部在Tech Day的报告重点。三星生产之逻辑晶片,是促成第四次工业革命的三大特征-超智慧(Hyper-Intelligence)、超连结(Hyper-Connectivity)与超巨量资料(Hyper-Data)的物理基础。三星电子致力提升逻辑晶片效能,以达媲美人类执行工作的相同水准。
为实现此愿景,系统半导体事业部从NPU(神经处理单元)、数据机等核心IP着手升级,并携手全球领导厂商,研发新世代CPU(中央处理器)与GPU(绘图处理单元)。 
与此同时,事业部持续投入研发超高解析度影像感光元件,使晶片能和人眼一样捕捉影像,亦规划打造五感兼具的感应器。 

揭晓新世代逻辑晶片
三星电子于Tech Day首次曝光多款先进逻辑晶片,包括5G Exynos Modem 5300、Exynos Auto V920和QD OLED DDI等,为手机、家电与汽车等各产业的关键零组件。 
大会亦展示多款今年新推出或发表的晶片产品,如旗舰行动处理器Exynos 2200,以及业界最小0.56微米200MP ISOCELL HP3影像感光元件。Exynos 2200采用最先进4奈米EUV(极紫外光)制程,结合顶尖的行动、GPU与NPU技术打造而成,提供智慧型手机用户最极致的体验。ISOCELL HP3单位画素尺寸较前一代(0.64微米)缩小12%,使相机模组表面积得以缩减约20%,以利手机客户打造纤薄的旗舰装置。 
在介绍ISOCELL HP3时,三星同步向观众展示具备200 MP感光元件相机所拍出的绝美影像。另秀出专为生物辨识信用卡设计的指纹安全IC,其由指纹辨识器、安全元件(SE)和安全处理器组合而成,让信用卡多一层身分验证与安全机制保护。 

记忆体事业部重要进展
在三星引领DRAM与NAND Flash市场分别迈入30年与20年之际,记忆体事业部于本次大会揭晓第五代10奈米级(1b)DRAM,及第八代和第九代V-NAND,并誓言于未来十年中,持续提供首屈一指的记忆体产品组合。
三星亦强调将加强合作,以更高韧性应对产业新挑战。 
三星电子总裁暨记忆体事业部负责人Jung-bae Lee表示:“三星投入记忆体40余年,至今已生产一兆GB的记忆体晶片,其中约半数集中于过去三年,可见数位转型的速度相当惊人。随着记忆体频宽、容量与能源效率续增,新平台应运而生,并催生更多半导体创新,三星将加强整合,朝数位共演化(coevolution)目标迈进。” 

DRAM解决方案助攻资料智慧化
三星现今着手研发的1b DRAM计划于2023年量产。为突破10奈米技术关卡,三星积极导入颠覆性的图案化(patterning)制程、材料与架构,在High-K新材料的进展亦相当顺利。 
接着介绍即将推出的32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM等解决方案,将为资料中心、高效能运算(HPC)、行动、游戏与车用科技市场解锁新应用。 
除了一般DRAM晶片,三星亦看准HBM-PIM、AXDIMM和CXL等客制化解决方案将驱动系统层级的创新,可更有效应对全球资料的爆炸式成长。
 
2030年内推出1000+层V-NAND
自十年前问世,三星V-NAND技术已演进至第八代,层数是第一代的10倍,位元来到15倍。最新512Gb第八代V-NAND的位元密度提高42%,为迄今512Gb三层储存单元(TLC)产品之最。目前计划2022年底出货业界最高容量1Tb TLC V-NAND。 
三星并提及已在研发第九代V-NAND,目标2024年量产。并将于2030年研发1000层以上产品,以支援未来资料密集的技术应用。 
随着AI和大数据应用发展,客户对记忆体速度与容量的要求也更高,三星将加速转进四层单元(QLC),冲高位元密度,同时持续优化能源效率,协助全球客户扩大落实永续经营。 

藉由深化合作扩增解决方案量能
三星储存解决方案涵盖资料中心、企业级伺服器、行动、客户端、消费级与车用等领域,产品组合无所不包。事业部强调,其高效能、低功耗的AI最佳化运算型储存产品,将协助客户跟上绿色运算趋势。三星亦展示全新PM9C1a无DRAM固态硬碟(SSD),同时支援PCIe 4.0和5.0。 
三星随后分享其智慧移动蓝图,充分展现引领产业发展的企图心。其车用记忆体品项完备,满足现今汽车的多样化功能,例如车载资讯娱乐系统(In-vehicle Infotainment,IVI)、自动驾驶(Autonomous Driving,AD)、先进驾驶辅助系统(Advanced Driver Assisted Systems,ADAS)、仪表板、闸道器和车载资通讯系统。自2015年跨入车用记忆体以来,三星的市占率快速上升,目标2025年成为全球最大车用记忆体厂商。 
最后,三星重申,其首要目标是为客户创造更高价值,以客户导向为研发哲学,并强调将致力拓展生态圈合作的企图心。为了扩大开放创新的规模与影响力,三星揭示强化与客户合作的关键发展方针-设立三星记忆体研究中心(Samsung Memory Research Center,SMRC),客户与合作伙伴可在此以多样化的伺服器情境,测试与验证三星记忆体和软体解决方案。该中心将在2022年第四季于韩国率先启用,未来计划与Red Hat和Google Cloud等生态圈伙伴合作,于美国和其他市场设立据点。