铠侠NAND Flash新厂完工、今秋量产 产能估增3成

全球NAND型快闪记忆体(Flash Memory)大厂铠侠(Kioxia)位于日本四日市工厂厂区内的NAND Flash新厂房已完工，将在今秋开始进行量产，预估将让四日市工厂产能提高3成。
铠侠26日发布新闻稿宣布，与合作伙伴西数电子(Western Digital)在当日举行了四日市工厂第7厂房(以下称Y7栋)的完工典礼，今后将配合市场动向、阶段性提高产能。铠侠指出，Y7栋整体兴建工程将分2期，此次对Y7栋第1期工程的总投资额预估达1兆日圆、且将获得日本政府的补助金。
铠侠表示，为了因应中长期市场扩大，Y7栋将生产3D NAND Flash第6代产品(162层)以及今后将持续进化的次世代产品，预估将在明年(2023年)初期开始出货162层产品。
据日媒报导，Y7栋第1期工程目前正进行设备搬入等作业，预估将可获得日本政府约929亿日圆的补助，将在今年秋天正式导入生产、届时四日市工厂产能将提高3成。
报导指出，记忆体市况因全球通膨、智慧手机等需求萎缩而急速恶化，迫使铠侠日前宣布自10月起减产3成。对此，铠侠社长早(土反)伸夫于26日举行的记者会上表示，“记忆体市况非常严峻，不清楚(减产)会持续多久。不过，在数位化中、(半导体)是不可或缺的存在，我认为需求势必会复苏”。
铠侠曾于4月15日宣布，已和美国威腾电子签订正式契约，双方对将铠侠四日市工厂Y7栋第1期工程进行共同投资，藉由双方共同投资，于2022年4月完成厂房兴建的Y7栋第1期工程目标在今年(2022年)秋天开始进行量产。铠侠表示，四日市工厂为全球最大等级的NAND Flash工厂，而Y7栋将成为双方共同投资的第6栋厂房。
除该第1期工程外，Y2栋也将进行第2期工程的兴建、不过时间未定。另外，铠侠计划在“北上工厂(岩手县北上市)”兴建的第2厂房(K2)已于今年4月举行动工仪式、预计2023年完工。K2厂房位于2020年上半年开始进行生产的第1厂房(K1)的东侧，厂房面积为3.1万平方公尺，导入量产后，整体北上工厂产能将扩增至现行的约2倍。
10年来最大规模 铠侠NAND Flash减产3成
铠侠9月30日宣布，旗下生产NAND Flash的四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂(岩手县北上市)将进行生产调整、自10月起将减产3成(晶圆投入量缩减约3成)。
铠侠重申，中长期来看、NAND Flash市场成长可期，因此今后仍将积极从事研发投资、进行新产品研发，实现稳健且持续的成长。
日媒报导，因市况恶化、迫使铠侠大规模减产NAND Flash，铠侠此次的减产规模将是10年来(东芝时代于2012年实施的减产以来)最大。