美光跳过 EUV 广岛厂量产1β制程DRAM

记忆体大厂美光（Mircon）今日宣布，为特定智慧手机制造商与晶片组合作伙伴提供 1β（1-beta）DRAM 验证样品，全球最先进 DRAM 制程节点 1β 量产全面就绪。新世代制程技术率先用于美光 LPDDR5X 行动记忆体，最高速度每秒 8.5Gb，也是继三星同样最高速度每秒 8.5Gb LPDDR5X DRAM 之后，第二家推出同等级产品的厂商，也是首家不采 EUV 微影曝光设备生产 1β 节点的记忆体厂，成本优势可强化市场竞争力。
美光指出，1β 是全球最先进 DRAM 制程节点，显著提高效能、位元密度、改进功耗，带来全面优势。除行动装置外，1β 低延迟、低功耗、高性能 DRAM，更可支援各种高度回应式服务、即时服务、体验个人化与脉络化，从智慧车辆到资料中心均可受惠，象征美光自 2021 年 1α (1-alpha) 制程量产以来，市场领导地位再下一城。1β 节点降低功耗约 15%，提升位元密度超过 35%，每颗晶粒容量可达 16Gb。
美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示，推出 1β DRAM 代表记忆体技术又一次飞跃式的创新，这要归功于美光独家的多重曝光微影技术、领先的制程技术，以及先进的材料能力。1β 节点带来世界最先进的 DRAM 技术，将每记忆体晶圆的位元数提升到史上新高，也为新一代技术奠定基础，从边缘到云端都可善用丰富资料、智慧化、并且节能。
美光指出，业界第一 1β 节点可将更高的记忆体容量塞入更小空间，从而降低每位元资料的成本。DRAM 的进展，向来主要取决于如何在每平方公厘的半导体面积内，提供更多和更快记忆体，就需要缩小电路，将数十亿个记忆体单元收纳至约莫指甲大小的晶片。几十年来，随着每个制程节点的演进，半导体产业每一两年缩小晶片尺寸缩小一次；然而，随着晶片变得越来越小，在晶圆上界定的电路图便需要挑战物理定律的极限。
此外，尽管业界已开始改用新工具极紫外光 (EUV) 设备克服这些技术挑战，美光仍利用其千锤百炼的先进奈米制造能力与微影技术来跳过尚在新兴阶段的极紫外光技术。这需要应用美光独门的先进多重曝光技术和沉浸式微影能力，以最高精确度做出这些微小的电路特征。节点进一步缩小提升容量，可让智慧手机和物联网装置等体积较小的装置涵纳更多记忆体。
美光强调，为了让 1β 和 1α 制程发挥竞争优势，美光过去几年也积极推动卓越制造、提升工程技术能力、强化开创性研发。加速创新首先让美光比竞争对手提前一年实现前所未有的 1α 节点量产，达成公司史上首次 DRAM 和 NAND 两领域同时居市场领导地位。多年来美光投资数十亿美元，将晶圆厂转为先进、高度自动化、人工智慧驱动的永续营运设施，也包括投资日本广岛厂，广岛厂将以 1β 制程量产 DRAM。
随着机器对机器通讯、人工智慧和机器学习等耗能使用案例兴起，节能技术对企业益发重要，尤其希望满足严格永续发展目标和降低运营费用的企业。研究人员发现，训练 AI 模型的碳排放量是美国汽车（包含汽车制造过程）五倍。到 2030 年时，资通讯科技预计将使用全球 20% 电力。
网路世界需要快速、无处不在、节能记忆体推动数位化、最佳化和自动化，美光 1β DRAM 节点为网路世界的进步打造灵活基础。使用 1β 制程的高密度、低功耗记忆体可在需要大量数据的智慧装置、系统和应用程式间更节能传输资料，从边缘到云端更有智慧。明年美光开始于嵌入式、资料中心、个人电脑、消费电子、工业和汽车领域扩大 1β 产品组合，包括绘图记忆体、高频宽记忆体等。