Micron 首次推出 232 层 NAND SSD

美国半导体制造公司美光科技（Micron）最近宣布，已开始批量出货首次推出 232 层 NAND SSD。公司称 SSD 提供出色的 PCIe Gen4 性能，目前已交给全球个人电脑 (PC) 原始装置制造商，用于手提和桌上电脑。
Micron 表示，首次推出的 2550 SSD 采用 232 层 NAND 技术，与上一代 SSD 速度相比，传输文件的速度提高了 112%，加载主流游戏的速度提高了 57%、创建应用的速度提高 78%。
此外，新SSD读取性能每秒达 5GB Byte、连续写入性能每秒达4GB Byte，比上代SSD快了1.3-1.4倍，同时新产品的主动闲置功耗低于150 mW，主动功耗低于5.5 W。Micron 指其 2550 SSD 通过缓冲技术，提供出色的 PCMark 10 性能分数和较长的电池寿命改善了用户体验，还为电脑系统设计提供了具有正确性能、尺寸、重量和容量组合的灵活性。例如它提供三种外形规格：22x30 mm、22x42 mm和 22x80 mm，容量选项从 256 GB 到 1 TB。
但有中国媒体《快科技》报道，其实此前半导体制造公司长江存储（YMTC）已量产 X3-9070，用于致态 TiPlus7100 系列 SSD，还已经被用在海康威视的 CC700 2TB SSD 上，是首个进入零售市场的 200+层 3D NAND 快闪记忆体。
除了这些科技公司外，韩国 SK 海力士也研发全球首款业界最高层数的 238 层 NAND 快闪记忆体；韩国 Samsung 在上个月亦宣布，已开始批量生产采用第 8 代 V-NAND 技术，达1Tb（128GB）TLC 3D NAND 快闪记忆体晶片，达到了 236 层。