三星推出12nm级制程DDR5记忆体，可达每秒7.2Gpbs传输速率

南韩三星电子今日宣布，成功开发首款采用 12 奈米级制程技术的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成相容性产品评估。

三星表示，技术突破是藉使用新高介电（high-k）材料，以增加电池电容，并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。

三星资料显示，整合先进多层极紫外（EUV）微影曝光技术后，新 DRAM 拥有三星最高裸片密度（Die density），并可使晶圆生产率提高 20%。采用 DDR5 最新标准，三星 12 奈米级 DRAM 可提供高达 7.2 千兆每秒（Gbps）传输速度。能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相较，12 奈米级 DRAM 功耗降低约 23%。

AMD 高级副总裁、企业研究员暨客户、计算和图形技术长 Joe Macri 指出，创新通常需要与产业伙伴密切合作，以推动技术发展。很高兴再次与三星合作，特别是推出 Zen 平台经最佳化和验证的 DDR5 记忆体产品。
三星指出，随着 2023 年新款 DRAM 量产，计划将采用先进 12 奈米技术的 DRAM 产品扩展到更广市场。