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力积电推出3D AI Accelator技术平台

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-06-02

抢搭AI市场快车,中国台湾厂家力积电结合40奈米逻辑、25奈米DRAM制程,以晶圆堆叠技术(Wafer on Wafer)制成3D AI加速器,效能与市售7奈米系统相当、成本仅十分之一,将可为IC设计业提供更具创新竞争力的AI晶片代工平台。

力积电与工研院、智慧记忆、日商Maxram合作,于 2023年COMPUTEX台北国际电脑展公开AIM-200 3D AI Accelator技术平台,并在展览现场全天候进行系统运转展示。这项全球首创展品是使用力积电40奈米逻辑制程和25奈米DRAM制程生产的2片12吋晶圆,以晶圆堆叠技术整合而成,一举将逻辑电路与DRAM之间的资料传输频宽扩增至1024位元(bit),与现有的32或64位元相较,堪称一举击穿了影响系统运算效能至钜的存储器高墙(Memory Wall)。
力积电表示,根据在展览现场长时间运行的数据,AIM-200 3D AI Accelator与同类AI产品相比,仅消耗1/10的电能就能获得相同CNN运算效率,以此性能估计,以此技术平台制造的AI 加速晶片,虽然仅使用40奈米逻辑制程生产 AI Engine 以及25奈米DRAM,其效能却与7奈米制程生产的同类产品相当,且该展示晶片在全天连续运转的情境下,仍无因高速运算而出现过热的迹象,显示超高传输频宽的优越性。