每日写入量高达35次，美光推出新款强调高耐写型SSD

每日写入量高达35次，美光推出新款强调高耐写型SSD

今年5月美光发表两款资料中心固态硬碟，其中一款产品XTR，强调可支援写入密集型工作负载，并具有优于储存级记忆体SSD的省电与低成本特性

今年上半，记忆体大厂美光（Micron）陆续发表多款资料中心NVMe硬碟，1月宣布新一代顶级产品9400系列进入大量生产阶段，5月推出主打高容量特色的产品6500 ION系列，以及超大耐用度、支援写入密集型工作负载的产品XTR系列。
就近期发表的资料中心固态硬碟产品而言，大多是针对读取密集型工作负载的应用需求，而在耐用度方面，每日写入量（DWPD）的规格常见为1或低于1；若是主打混合型工作负载的产品，每日写入量介于1与10之间，常见为3；而归类为写入密集型工作负载的产品，每日写入量为10以上。
或许是因为受制于目前普遍采用的NAND快闪记忆体为TLC，市面上的资料中心固态硬碟产品，每日写入量规格很少超过两位数，然而，美光最新推出的MTR系列竟打破这个惯例，本身的耐用程度（endurance）大大超越一般固态硬碟——基于同样采用TLC快闪记忆体的架构，这款产品每日因应循序写入工作负载的能力为60次，每日因应随机写入负载可达35次。
值得注意的是，根据美光对IT媒体发表的简报内容指出，XTR采用176层的SLC快闪记忆体技术，然而，在该公司网站公布的产品简介文件，在NAND的规格当中，却写为“Micron 176-layer 3D TLC NAND”，经过我们向美光询问，他们表示，XTR采用以SLC模式运行的TLC NAND，以提供强化的耐用性，并加速资料中心工作负载。
在产品针对的工作情境上，美光也明确列出XTR适用的写入密集型工作负载细部应用类型，像是快取层设置、写入缓冲处理、事件日志记录，以及资料库线上交易处理（OLTP）。
对比于可用作储存级记忆体（SCM）的固态硬碟，具有超高资料耐写度的特性，XTR也具有多个相对成本优势。
美光表示，若以英特尔Optane SSD P5800X来比较，每日写入量高达100次，他们的XTR每日随机写入量虽然仅有35％，成本却只需要20％；而以耗电量的规格而言，英特尔Optane SSD P5800X系列的1.6 TB机型为21瓦，美光XTR系列的960 GB与1.92 TB机型只需12瓦，节省幅度为43％。
在实际应用上，XTR系列展现了哪些特性？根据美光进行的微软SQL Server资料分析测试，若以Micron 6500 ION搭配英特尔Optane SSD P5800X对上Micron 6500 ION搭配Micron XTR，若在256 GB、384 GB、 512 GB等记忆体组态之下，SQL Server的tempdb每日写入资料量最高为42 TB，美光XTR系列每日写入量为35次，若以1.92 TB容量机型为准，每日写入量为67.2 TB，其耐写度可高于上述tempdb每日写入量。
而就存取效能来比较，在3种记忆体组态当中，Micron 6500 ION搭配Micron XTR资料库查询执行时间，略低于Micron 6500 ION搭配英特尔Optane SSD P5800X。
除了提供高耐写能力，拥有更丰富的安全性特色，也是XTR傲视美光现行固态硬碟产品的部分，不仅支援自我加密（SED）、运用密码学的资料抹除、NAND区块抹除，以及使用数位签章保护的韧体，它与一起发表的6500 ION、去年3月发表的7450，都已遵循TCG Opal、美国贸易协定法（TAA）等标准，以及美光本身制定的安全执行环境（Micron SEE）要求，而且能在ASIC晶片层级符合FIPS 140-3 L2认证的要求。

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