三星公布 GAA MBCFET技术最新进展及对 SRAM 设计的影响

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。三星表示，相较 FinFET，MBCFET 提供了更好的设计灵活性：在传统的 FinFET 结构中，栅极所包裹的鳍片高度是无法调整的；而 MBCFET 则将鳍片横向堆叠在一起，所以纳米片的高度可以自行调整，能提供相对 FinFET 更多的通道宽度选择。MBCFET 的这一特性为 SRAM 单元设计提供了更大的灵活性，可以在 PMOS 和 NMOS 之间形成最佳平衡。