三星：V-NAND最迟到2030年可望堆叠超过1,000层

韩国三星电子10日表示，计划10月下旬在美国北加州圣荷西举办Memory Tech Day 2023（2023年记忆体科技日）盛会的时候，将与全球科技人才分享与讨论晶片最新资讯，以及未来发展。
在2022年的活动中，三星推出第5代10奈米级（1b）制程的DRAM，以及第8与第9代垂直NAND（V-NAND），重申将继续提供最优质产品的承诺，与未来10年记忆体技术的强大组合。
当时，三星也公布要在2023年量产1b制程DRAM的计划，可望为资料中心以及高效能计算、行动、游戏和汽车等，不同产业带来新功能。常见于个人电脑以及伺服器的DRAM，只要有电就可以保留资料。NAND则不需要电源来储存数据。
三星表示，目标最晚到2024年量产第9代V-NAND，最迟到2030年可望堆叠超过1,000层。有236层的第8代V-NAND，则是自己迄今最先进的产品。堆叠愈多层，表示储存空间愈多，也是先进技术的一种展示。
全球第二大记忆体晶片制造商SK海力士9日表示，已开发出全球首款超过300层堆叠的NAND快闪记忆体。同时，在这个全球最大Flash Memory Summit盛会中，SK海力士也像与会来宾展示321层4D的NAND快闪记忆体。