传三星明年平泽P4工厂量产V9/V10闪存

为了增强新一代NAND闪存的竞争力，据报道，三星电子将在2024年升级其NAND核心设备供应链。三星最近也在其主要NAND生产基地测试了相关设备。
据ZDNet Korea报道，业内消息人士指出，三星最近将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其平泽P3工厂的NAND生产线。据悉，三星从东京电子引进的设备是氧化物刻蚀设备，主要用于半导体刻蚀工艺。该设备已部署在P3的NAND生产线上进行量产测试。
如果三星打算采用东京电子的设备，其最终可能会在平泽P4工厂安装相关设备，该工厂是三星的下一代半导体制造工厂，计划最早于2024年开始运营，预计将采用类似P3工厂运营模式，设有代工和闪存生产线。
目前，三星的主力NAND产品V7和V8都是V-NAND（3D NAND）。平泽P4工厂的NAND生产线预计将生产下一代V9和V10 NAND闪存。V8实现了238层堆叠，而V9预计将达到280层。
此外，三星现有的NAND生产线中，大部分刻蚀设备来自美国泛林集团(Lam Research)。尽管有报道称东京电子的最新设备和配套工具正在积极引入P3工厂，但尚未有任何确认的采购订单。不过，该迹象仍表明三星有意更换蚀刻设备供应商。
业内人士表示，这一潜在变化有两个主要原因。首先，东京电子的新设备大幅提高了蚀刻工艺的速度和精度。第二是泛林集团设备的性能可能没有达到预期。此外，三星在开发下一代NAND时曾遇到过良率问题。三星认为泛林集团的设备是这些问题背后的可能因素之一。