美光HBM产品线已推出HBM3e

全球DRAM大厂美光先进封装技术开发处副总裁辛赫(Akshay Singh)透露，在高频宽记忆体(HBM)产品线部分，中国台湾美光目前已推进到HBM3e。至于先进封装议题部分，美光有和客户指定的厂商合作。中国台湾是美光重要的DRAM生产基地，目前美光约有65%DRAM在台湾产出，制程技术上，今年量产1-beta，2025年量产1-gamma，也有高宽频记忆体的产出。

Akshay Singh表示，HBM有助于突破高效能运算的作业瓶颈，而美光在2019年于台湾成立HBM团队，当时投入研发的是HBM2e，目前已进入到HBM3e，后续还会往HBM4、HBM5迈进。
此外，就先进封装议题上，Akshay Singh认为，这项技术牵涉到两个层面，一个是所需投资比较大，也牵涉到晶圆级技术，目前美光有和客户指定的厂商合作。