三星开发新一代“缓存DRAM”

据电子时报报道，继高带宽内存（HBM）之后，三星电子将开发新一代DRAM技术。
首尔经济日报援引业内消息称，三星先进封装（AVP）业务部门正在开发“Cache DRAM”（缓存DRAM）的下一代DRAM技术，目标是在2025年开始量产。据报道，三星透露，与HBM相比，缓存DRAM将能效提高60%，并将数据移动延迟降低50%。
有传言称，三星缓存DRAM将采用与HBM不同的封装方法。HBM目前水平连接到GPU，但缓存DRAM将垂直连接到GPU。由于HBM垂直连接多个DRAM以提高数据处理速度，因此有报道称，缓存DRAM只需要一颗芯片即可存储与整个HBM相同数量的数据。
三星开发高速缓存DRAM等内存技术的主要目标是增强其在后端工艺方面的竞争力。回顾2022年，台积电在封装领域的营收达到约51.13亿美元，远超三星的40亿美元。
值得注意的是，三星正在大力投资扩展其先进封装技术。除了在一年内投资超过2万亿韩元（15亿美元）新建封装生产线外，它还在2023年成立了新的AVP业务部门，希望赶上台积电等竞争对手。
业内人士认为，随着实现更精细的电路变得越来越困难，3D封装将成为半导体公司竞争优势的关键。如果三星想要实现到2030年成为系统半导体领导者的目标，就需要投资封装技术。