全球快闪记忆体锋会 美籍华人许富菖夺创新大奖

世界级大厂参与 仅18个奖项
快闪记忆体高峰会是全球最大的记忆体领域发表会，此高峰会展示了推动数十亿美元的非易失性存储器和SSD市场的主流应用，关键技术，领先厂商和创新型初创公司。所以其标示的趋势，创新和先驱者引领着闪存在需求性的企业存储，高性能计算和云系统中的采用。自2021年以来，更增加DRAM主题，以便包含大部分的记忆体领域。参加会议者超过6千人，上百家世界级大公司参与，只有18个奖项，竞争非常激烈，对于一家小公司，这个奖项得来实属不易。
奖项计划主席兼网路存储顾问公司总裁Jay Kramer在颁奖中说道，”近年来DRAM技术的扩展能力已大幅放缓，但对可以处理人工智能、机器学习和大数据等工作负载的高性能计算机分析，创造了对比现在多得多的DRAM的巨大需求” ，”NEO Semiconductor 的3D X-DRAM 解决方案，是世界上第一个类似3D NAND的DRAM单元阵列，可减少DRAM产品所需的芯片数量，并具有增加容量的能力”。
在5G、6G和人工智能新世代的来临，新的科技应用发展无远弗届，对DRAM的需求将会越来越大。现在市场需求量为950亿美元，放眼全球的DRAM市场，可以发现DRAM是一个极为寡占的市场，全球前三大龙头厂，分别是韩国三星电子、韩国海力士、和美国美光科技，总共就囊括了大约九成五的市占率。
3D X-DRAM架构 解决容量扩展难题
在如此庞大的市场中，却有一个隐忧，就是DRAM单晶片因架构上不易扩展其容量，在2018年推出16Gb之后，到目前为止容量尚未有进一步的扩展，因此价格不易降低。所以过去几年，各大厂商一直在研发将二维的2D DRAM提升至三维的3D DRAM，可惜一直未能突破困境。此次NEO发表的3D X-DRAM单元阵列架构，得到业界的热烈回响和极大的好评，纷纷寄以厚望，认为可以用此新技术来解决DRAM长期以来容量不易扩展的问题。容量增加了，自然芯片的生产成本就降低。
NEO创办人兼首席执行长许富菖，在近期返台省亲并走访一些相关产业公司，他提及于2012年和一群团队在加州圣荷西创办NEO，其中的艰辛过程是靠着团队合作和坚持所经历过来，NEO是一家专注于3D NAND快闪记忆体，DRAM，和3D新兴存储器的新兴公司。该公司目前在设计架构和单元结构方面拥有20多项美国专利。他表示，NEO很荣幸也很感激获得这一享有盛誉的奖项，并且感谢整个NEO团队为使这突破性技术成为现实所付出的辛勤工作和奉献精神。
3D X-DRAM是全球第一个类似3D NAND的DRAM, 是基于当今的3D NAND快闪记忆体工艺，无需开发新的制程，这将大大降低风险，并节省大量的开发时间和成本。通过使用目前的230层，可以将DRAM密度提高8倍，相对目前16Gb, 可以增加达到128Gb。而且未来可以通过推叠更多层，而使得容量不断增加。这可以为CPU和GPU提供大量的近端记忆体,以解决当今人工智能系统的瓶颈。许富菖执行长深信 3D X-DRAM将彻底改变未来的计算机储存系统，并开启一个全新的产品和应用程序的世界，迄今为止，这是不可能的，3D X-DRAM将在其中发挥关键作用，以当前蓬勃发展的人工智能时代，需要这种高密度和高速存储器来处理人工智能。
该公司的3D X-DRAM技术在今年大放异采，成为记忆体行业的先驱者，为未来DRAM发展趋势，做出重大突破，，能够解决容量扩展问题瓶颈，并推动市场突破2D DRAM的限制。
该公司在过去几年间，不断地在记忆体架构上取得重大的进展。在2018年，该公司推出名为X-NAND的技术，在3D NAND设计架构取得重大突破。 X-NAND可以使TLC和QLC NAND的速度达到和SLC NAND的速度一样。这为5G、6G、AI和许多应用程序提供了高速，低成本的解决方案。公司在2020年于快闪记忆体高峰会上发表了此项新技术，获得大会”最具创造力的新创公司奖” （the Most Innovative Flash Memory Startup Award）。
连续3届得奖 寻求授权合作机会
NEO连续三届都得到快闪记忆体高峰会给予最具创新记忆体技术奖的肯定，不论在NAND Flash或者DRAM都有很大的技术突破，对未来科技应用会产生深远的影响。因此引起了业界强烈的关注和接触，目前公司正在寻求和世界各大厂商洽谈专利授权和合作开发。
最后许富菖执行长表示此行返台拜会一些业界前辈，聆听他们的宝贵经验和对半导体产业的分析，收获非常丰硕，也受到很大的鼓舞。他继续谈到公司未来业务发展的可能性，公司拥有独步全球的新技术专利，并为记忆体业界专家所认可。这些专利是用来解决NAND Flash 和DRAM现在或者未来所遇到的瓶颈和极限。在NAND Flash领域方面，为了增加容量，每一代增加储存单元所存的位元数目，其缺点是让读写速度每一代相对下降，NEO提供的技术是将多位元速度提升至一个位元的速度，改进产品的功能而不会增加芯片的价格。至于DRAM所遭遇的容量不易扩展的困境，NEO所提供的解决方案，在之前已经谈过了。
总体而言，未来科技市场对此两大记忆体的需求，将会有极大的成长。所以目前NEO的策略是跟有兴趣的公司洽谈专利授权和合作开发产品。有关这方面商业机密，我不能透露。然而这两大产业的目前市场有1500亿美元，是由前五大记忆体制造商所独占，各大公司为了市场占有率，为了巨大的利益，想尽各种办法来提升产品的功能和品质，这也正是NEO发展的机会。
许富菖执行长衷心的希望NEO所取得的成果，能够为中国台湾的半导体产业注入新的活力和启发，也期望和台湾的相关产业公司有相互合作的机会，尤其是在DRAM方面，NEO所提供的专利是全球首创，用类似3D NAND的制程，来制造3D DRAM，等于打破过去其他DRAM公司的专利限制，只要有相互合作的共识，台湾的记忆体产业是有很大的机会，在全球记忆体市场占有一席之地。