三星带头大幅减产奏效 储存型Flash价格将上涨

预估第4季NAND Flash均价可望走向持平或小幅上涨，涨幅预估不到5%。
南韩三星（Samsung）因应市场需求持续减弱，9月起扩大减产储存型快闪记忆体（NAND Flash）幅度达50%，减产仍集中在128层以下制程为主，根据调查，其他供应商预计也将跟进扩大第4季减产幅度，以加速库存去化速度，预估第4季NAND Flash均价可望走向持平或小幅上涨，涨幅预估约5%以内，估计供应商亏损缺口将收敛，模组厂也同步受惠
这印证NAND Flash价格比DRAM反弹来得早，因NAND Flash供应商亏损持续扩大，销售价格皆已接近生产成本，为了维持营运而选择扩大减产，以期带动价格止跌反弹。
NAND Flash Wafer合约价已在8月反弹，随着减产幅度扩大，客户备货力道可望回升，支撑9月NAND Flash Wafer合约价续涨。不过，若NAND Flash涨势要延续至2024年，需仰赖持续性的减产，并也要看企业（Enterprise）SSD采购订单是否会大幅回补而定。
就供应商而言，NAND Flash相较DRAM拥有更弹性的价格优势，今年需求位元不见提升，加上通用型伺服器出货规模持续受到AI伺服器排挤，导致今年整体NAND Flash市场动向不乐观，第3季均价持续下跌，供应商亏损也持续扩大。
供应商库存水位，三星若要在年底前有效降低库存，依赖终端应用客户加大备货力道恐缓不济急，需严谨的控制产能才是让供需回到合理的最佳方式。三星大幅减产，预期可能让部分以三星主力供应产品价格反弹向上，可望带动第4季NAND Flash整体位元出货量，并逐步收敛供应商亏损缺口，同时将有助于模组厂改善未来获利情况。