三星宣布首款LPCAMM记忆体：体积缩小60%，同时克服LPDDR和So-DIMM的缺陷

三星宣布首款LPCAMM记忆体：体积缩小60%，同时克服LPDDR和So-DIMM的缺陷近日三星电子官方称其成功研发出首款7.5Gbps低功耗压缩附加记忆体模组（LPCAMM）形态规格，目前这一突破性研发成果已在Intel平台上完成了系统验证。
这一成果可能将改变PC和笔电的DRAM（动态随机存取记忆体）市场，甚至影响到资料中心的DRAM市场格局。
据三星介绍，目前的电脑传统的 LPDDR DRAM或So-DIMM（小外形双列直插式记忆体模组），但是这两种技术都存在一定的局限性。LPDDR受结构限制需要直接安装在主机板上，导致维修或者升级更换比较难。So-DIMM虽然安装拆卸比较方便，但是性能和功耗上却存在着一定的限制。
三星宣布首款LPCAMM记忆体：体积缩小60%，同时克服LPDDR和So-DIMM的缺陷
而LPCAMM技术则有望同时克服了LPDDR和So-DIMM的缺陷，做为可拆卸的记忆体模组，LPCAMM在大大减少了装置内部空间占用的同时，还大幅提高了性能及能效。与So-DIMM相比性能提高50%，能效提高70%，体积缩小 60%。
LPDDR由于其良好的省电特性被应用于伺服器上，然而LPDDR在实际使用中还是有一定的限制，例如在升级伺服器DRAM规格时必须更换整个主机板才行，而使用 LPCAMM 则可以有效避免这些问题。
Intel记忆体和IO技术副总裁表示：“LPCAMM的能效和易修优势使这种新形态有机会改变当今PC市场的游戏规则。我们很高兴能参与制定新标准，为PC生态系统提供支援，并为未来在更广泛的细分市场中被采用，以及为技术的创新奠定基础。”
三星表示将于今年与包括Intel在内的主要客户一起，将LPCAMM应用于下一代系统进行测试，并计划将于2024 年实现其商业化。