库存水位接近见底，预期 DRAM、NAND合约价涨幅约10%~15%

Samsung将调涨NAND Flash记忆体报价：
韩媒报导Samsung 10/2023就会调涨NAND Flash记忆体报价，涨幅达到双位数，约10%。之前威刚（3260 TT）董事长陈立白指出，DRAM现货价从低点到目前为止平均涨幅12%；NAND Flash则平均上涨22%，合约价则已出现谷底回升走势，预期23Q4 DRAM、NAND Flash合约价涨幅约10%~15%。NAND Flash初期涨幅比DRAM来得高，但预期11/2023起，DRAM涨幅将会超过NAND Flash。

2023年至今记忆体厂一路减产，但报价却一路下滑。各厂减产幅度目前约接近50%，至23Q4看到止跌：
全球疫情、区域战争、能源价格高涨及通膨问题让记忆体产业历经波动，2022年全年DRAM合约价下滑约40%，NAND Flash平均价格跌幅更超过50%，记忆体原厂在22H2就启动减产，原预期2023年记忆体市况可望回稳，不幸市况需求较预期差，记忆体原厂2023年至今前后减产约达3次，2023年各家原厂处于亏损，各厂减产幅度目前约接近50%。

其中Samsung持续扩大DRAM减产幅度，DRAM减产幅度自23Q2的20%、23Q3扩大到25%，到23Q4将更近一步把减产幅度增加30%，减产主要是以DDR4为主。此外，为因应需求持续减弱，Samsung宣布09/2023起扩大减产NAND Flash幅度至50%，比市场预期减产30~40%的减产幅度还高，预计其他供应商也将跟进扩大减产，将使23Q4 NAND Flash均价有望持平或小幅上涨0~5%。以Samsung来看，若要在2023年底前有效降低库存，依赖终端应用客户加大备货力道，是缓不济急，唯有严谨的控制产能才能较快控制库存，使市场供需回到较合理的状况。

在23Q2财报公布后，Samsung等原厂的态度倾向极力推动涨价，以避免营运继续失血，因此再度减产，NAND Flash原厂的产能利用率仅60%左右。Samsung已陆续减少在上游原材料的备货量，23Q3再度加码减产，而减产项目主要以第六代V-NAND产品采取128层堆叠制程，但上一代V5产品也可望逐渐进入停产阶段，低容量、成本高的旧世代产品将加速退场。

预估2024年记忆体资本支出减少有限：

2023年记忆体厂已大幅减少资本支出，预估2023年记忆体资本支出YoY-19%，其中SK Hynix资本支出YoY-50%，Micron资本支出YoY-42%。Samsung在2023年则呈现持平。在目前记忆体厂皆减产的情况下，市场预期2024年记忆体厂的资本支出可能会进一步下滑。不过目前前几大的记忆体厂已经历多次记忆体的景气循环，2023年大部份记忆体厂都已减产和削减资本支出，但考量长期的需求和成本竞争力，加上先进制程的投资越来越贵，和基本每年维修支出，2024年记忆体资本支出恐将下滑有限。之前Micron 法说就预期FY2024（12/2023~11/2024）整体资本支出将会增加。

通路商乐观预期双十一档期：
疫情封影响，导致2022年双十一销售表现欠佳，多家记忆体品牌衰退达30~50%。进入2023年，23H1的618促销活动，当时厂商也抱持乐观，积极备库存，可是终端市场买气依旧平淡，且在618之后呈现需求急冻。
现在中国经济面临压力，不过双十一年度促销即将展开，记忆体模组业者透露，虽然市场消费需求欲振乏力，但受惠近期记忆体的价格上涨，通路端库存达健康水位，即使短期需求并未明显复苏，但预期上游原厂将延续积极减产策略，使终端增加备货的意愿加，以确保未来供货稳定。由于通路端的库存水位接近见底，且惜售低价囤货的预期心态强烈，不倾向采取激烈促销竞争，因此通路商乐观预期双十一可望优于618档期的出货表现，延续至2024年的农历新年。