DRAM、NAND价格同步喊涨

存储器市场近期因各大存储器晶片厂已减产近一年，供给量持续减少下，随着终端需求小幅回温，推升DRAM、储存型快闪存储器（NAND Flash）价格同步喊涨。法人预期，年底欧美购物旺季及明年初中国大陆农历年采购旺季，可望持续带动DRAM、NAND Flash价格向上。
三星、SK海力士及美光等存储器晶片大厂持续调节产能，近几季市场供给量不断降低，第3季起市场需求开始出现逐步回温迹象，让近期保持在低于健康水位的通路商成功酝酿存储器价格新一波涨势。
业界指出，OEM／ODM厂锁定今年下半年欧美感恩节及耶诞节前购物旺季，以及明年初中国大陆农历春节购物需求，开始重新启动拉货需求，带动DRAM、NAND Flash等存储器报价上涨。
即便市场需求回温，业界仍预期，全球存储器大厂不会在今年就盲目增加投片量，最快要到明年第1季底或第2季初才会重启扩产行动。
另一方面，由于机台进入闲置（idle）后，至少可能需要一至二个月才能加入重新生产行列，因此产能开出可能要等到第2季底或第3季初，代表近几季DRAM、NAND Flash供给仍是“只减不增”，成为推升价格上升的主要动能之一。预估今年第4季NAND Flash均价有望持平或小幅上涨。同时，DRAM市场由于存储器大厂控制产出效应下，明年起亦有望同步上涨。