李培锳：韩厂未来新建厂重心会逐步移转至南韩

至于近期三星和SK海力士双方续获得进口关键半导体设备豁免，他认为二大韩厂未来新建厂重心会逐步移转至南韩，且获得设备销售豁免没有涵盖极紫外光（EUV），因而没有重大影响。
李培锳今日主持法说会，首度透露南亚科10奈米第4代制程将切入极紫外光（EUV）生产，这项制程是和欧洲研发中心共同开发，不过目前仍处于测试晶片阶段。
李培锳强调，南亚科的10奈米第二阶段已接近完成，除了试产8Gb DDR4产品外 ，还包括16Gb DDR5 DRAM产品，预定明年第2季完成验证，明年第3季放量。
李培锳强调，南亚科10奈米制程，短期将着眼于应用伺服器领域的高密度DRAM，将等第4代的EUV制程成熟，再推出搭配矽钻孔（TSV）和较复杂封装架构的高频宽记忆体（HBM），迎合市场快速发展的AI智慧化商机。