美光推出高速7,200MT／sDDR5记忆体 效能大幅成长50％

美光科技（MU）今（19）日宣布推出 16Gb DDR5 记忆体，奠基于其领先业界的1β制程节点技术，美光1β DDR5 DRAM的内建系统功能速率可达7,200 MT/s，目前已出货给所有资料中心及PC客户，相较于前一代产品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低33%。
美光表示，因应资料中心工作负载所需，CPU内核数持续增加，为突破“记忆体墙”（Memory Wall）瓶颈，同时为客户提供最佳化的总拥有成本，对于记忆体频宽及容量需求也随之大幅提升，美光推出的1β DDR5 DRAM可扩大运算能力，并以更高效能辅佐资料中心及客户端平台，支援AI训练及推论、生成式 AI、资料分析、记忆体资料库等。
美光强调，全新1β DDR5 DRAM产品在现有模组化密度中，速率可达4,800 MT/s 至 7,200MT/s，适用于资料中心及客户端应用。
美光核心运算DRAM产品设计工程事业部企业副总裁Brian Callaway指出，量产1β DDR5 DRAM并提供给客户及资料中心平台，是业界一大里程碑，在我们与生态系伙伴及客户合作下，将加速高效能记忆体产品的普及。
中国台湾华硕（2357）消费性产品事业处协理陈奕彰则说，华硕作为消费型及电竞高效能笔电领导品牌，如何将记忆体子系统转换至 DDR5 是华硕关注的一大重点，我们很期待推出搭载美光1β DDR5记忆体的华硕与ROG笔电，为顾客创造出更好的使用体验。
Ampere Computing产品长Jeff Wittich认为，将Ampere的云原生处理器搭配美光1β DDR5记忆体，可组成同级中最佳的运算方案，满足超大规模客户追求的效能、扩充性及能耗比，AmpereOne平台及早整合采用速率达7,200MT/s的美光1β DDR5记忆体，将可持续推进AI、机器学习等高效能运算应用发展。
Cadence IP事业群资深副总裁暨总经理Boyd Phelps强调，我们很荣幸与美光合作，运用我方领导业界的 DDR5、LPDDR5X、GDDR6、HBM3 IP系统解决方案，搭配美光世界级记忆体产品组合，共同支持适合特定应用的次世代平台，在美光先进的1β DDR5记忆体助力之下，我们能够以高达7,200MT/s的速率评估并验证高效能的DDR5 IP。