与 SK 海力士一较高下！三星证实明年推 300 层以上 V-NAND

南韩记忆体大厂三星分享 V-NAND（即 3D NAND）发展计划，证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 记忆体，这将是业界最高层数。
三星总裁暨记忆体事业部负责人Jung-bae Lee 在部落格中写道，第九代 V-NAND 基于双层结构，层数将达到业界最高水准，将于明年初量产。
三星正开发超过300 层的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次采用的双层堆叠技术。三星不仅证实非挥发性记忆体 已步入正轨，其层数有望超过竞争对手。
南韩记忆体大厂 SK 海力士 8 月宣布，新 321  层堆叠 4D  NAND  Flash 快闪记忆体样品，成为业界首间开发完成 300 层以上堆叠 NAND Flash 公司。但从三星最新进度可知，三星有望超车 SK 海力士，并拥有更多记忆体层数。
Jung-Bae Lee 指出，三星还在研究下一代具价值的技术，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。
虽然还不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何，但根据外媒报导，三星在即将推出的 SSD 中使用这种记忆体。届时，就能看到三星采用 PCIe Gen5 介面的零售 SSD——三星 990 Pro 系列后续产品。
报导指出，三星现在致力于大幅减少单元干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数，以实现业内最小单元尺寸。这些创新有助于推动三星实现创建 1,000 层以上 3D NAND 和记忆体解决方案，确保产品适用于资料中心、PC 等应用。