三星正积极推进第五代HBM3e记忆体

据悉，HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升资料处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。HBM被认为是人工智慧时代的新一代DRAM。
Shinebolt比SK海力士的HBM3e最巨量资料传输速度为1.15TB/s更快。Shinebolt还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。
据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行品质测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最巨量资料传输速度（频宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高解析电影（每部容量5GB）
HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是品质回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。