佳能想用NIL技术挑战EUV

日本半导体设备大厂佳能 (Canon) 在 10 月 13 日宣布开卖采用纳米压印 (Nano-imprint Lithography，NIL) 技术的微影设备 FPA-1200NZ2C，Canon 表示纳米压印微影设备可用来生产现行最先进的 5 纳米记忆体晶片，期望改良后可进一步用来生产 2 纳米产品，试图挑战半导体设备龙头厂艾司摩尔 (ASML-US) 的地位。(佳能在 90 年代未能接受美国授权 EUV 技术后即转向 NIL 方向发展)
目前世界前三大曝光机微影设备厂制造商为: 日本 Canon 、Nikon 和荷兰 ASML，日本 Nikon 和 Canon 都是知名百年老牌照相机制造商，ASML 则是 1984 才成立的合资公司却能后发制人，是全球唯一能量产 EUV(极紫外光) 微影技术的设备厂商，EUV 曝光机是半导体先进制程 5 纳米以下不可或缺的关键设备，售价更是高达 1.5 亿美元以上。
2022 年前三大曝光机设备厂共出货 551 台曝光机，总营收为 196 亿美元，ASML 卖出 345 台，曝光机的营收为 161 亿美元; Canon 售出 176 台，营收为 20 亿美元; Nikon 则售出 30 台，营收为 15 亿美元。可以看出日厂在曝光机的销售台数以及金额都与 ASML 有极大的差距。
纳米压印跟封蜡印章的原理类似，先在表面涂光阻剂 (树脂)，再用做好的 光罩 模具压下，就可以做出像要的图案，因为纳米压印的模具能够重复压印，适用于大量制作光碟、晶片及太阳能电池内的微细结构。Canon 为纳米压印微影技术研发出最佳的光阻剂材料，以及用于压印的纳米级对准技术，还实现清洁半导体的微粒控制技术，相较于已商用化的 EUV 技术，NIL 技术的耗电量只需 EUV 的十分之一，金额只需 EUV 的 40%，大幅减少耗能，并降低设备成本。
由于纳米压印微影技术需使用软性材质的光阻剂材料，适合使用在规则性结构如 DRAM 与 NAND FLASH，而逻辑晶片只有少部分的结构可以使用，故 NIL 技术仍无法完全取代 EUV 微影技术。